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RBE034N15R1SZQ4#GB0

RBE034N15R1SZQ4#GB0 Renesas Electronics

r07ds1636ej0100_mosfet.pdf
Hersteller: Renesas Electronics
MOSFETs Ind. MOS REXFET-1 150V 3.4mohm TOLL
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Technische Details RBE034N15R1SZQ4#GB0 Renesas Electronics

Description: RENESAS - RBE034N15R1SZQ4#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 200 A, 0.0034 ohm, TOLL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, Verlustleistung: 366W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TOLL, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: REXFET-1 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm.

Weitere Produktangebote RBE034N15R1SZQ4#GB0 nach Preis ab 8.14 EUR bis 18.17 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RBE034N15R1SZQ4#GB0 RBE034N15R1SZQ4#GB0 Renesas Electronics Corporation rbe034n15r1szq4-datasheet?queryID=b912dcfdceba631e4baf3ddc9e83cb0a Description: MOSFET N-CH 150V 200A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 75 V
auf Bestellung 1599 Stücke:
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rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
usEccn: EAR99
auf Bestellung 2000 Stücke:
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14+18.17 EUR
18+13.51 EUR
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Dauer-Drainstrom Id: 200A
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Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 366W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: REXFET-1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
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Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 150V 200A TOLL
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Package / Case: 8-PowerSFN
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Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
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Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 75 V
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Description: RENESAS - RBE034N15R1SZQ4#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 200 A, 0.0034 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
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Description: RENESAS - RBE034N15R1SZQ4#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 200 A, 0.0034 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
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