RBE034N15R1SZQ4#GB0 Renesas Electronics Corporation
Hersteller: Renesas Electronics Corporation
Description: MOSFET N-CH 150V 200A TOLL
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: 8-PowerSFN
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 200A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 3.4mOhm @ 100A, 10V
Power Dissipation (Max): 366W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3.7V @ 250µA
Supplier Device Package: TOLL
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 150 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 86 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 6200 pF @ 75 V
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 16.29 EUR |
| 10+ | 11.11 EUR |
| 100+ | 8.19 EUR |
| 500+ | 8.14 EUR |
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Technische Details RBE034N15R1SZQ4#GB0 Renesas Electronics Corporation
Description: RENESAS - RBE034N15R1SZQ4#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 200 A, 0.0034 ohm, TOLL, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 150V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 200A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V, Verlustleistung: 366W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TOLL, Anzahl der Pins: 9Pin(s), Produktpalette: REXFET-1 Series, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm.
Weitere Produktangebote RBE034N15R1SZQ4#GB0 nach Preis ab 7.66 EUR bis 16.36 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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RBE034N15R1SZQ4#GB0 | Renesas Electronics |
MOSFETs Ind. MOS REXFET-1 150V 3.4mohm TOLL |
auf Bestellung 1302 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RBE034N15R1SZQ4#GB0 | RENESAS |
Description: RENESAS - RBE034N15R1SZQ4#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 200 A, 0.0034 ohm, TOLL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 150V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 200A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: - isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V Verlustleistung: 366W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TOLL Anzahl der Pins: 9Pin(s) Produktpalette: REXFET-1 Series productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | ||||||||||
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RBE034N15R1SZQ4#GB0 | RENESAS |
Description: RENESAS - RBE034N15R1SZQ4#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 200 A, 0.0034 ohm, TOLL, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 productTraceability: Yes-Date/Lot Code rohsCompliant: YES euEccn: NLR isCanonical: Y hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA usEccn: EAR99 |
auf Bestellung 2000 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 10 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RBE034N15R1SZQ4#GB0 |
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Hersteller: Renesas Electronics
MOSFETs Ind. MOS REXFET-1 150V 3.4mohm TOLL
MOSFETs Ind. MOS REXFET-1 150V 3.4mohm TOLL
auf Bestellung 1302 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
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| 1+ | 16.36 EUR |
| 10+ | 11.16 EUR |
| 100+ | 8.23 EUR |
| 500+ | 8.16 EUR |
| 1000+ | 7.66 EUR |
| RBE034N15R1SZQ4#GB0 |
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Hersteller: RENESAS
Description: RENESAS - RBE034N15R1SZQ4#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 200 A, 0.0034 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 150V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 200A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 366W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: REXFET-1 Series
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0034ohm
Description: RENESAS - RBE034N15R1SZQ4#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 200 A, 0.0034 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 150V
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Dauer-Drainstrom Id: 200A
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Qualifikation: -
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3.7V
Verlustleistung: 366W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TOLL
Anzahl der Pins: 9Pin(s)
Produktpalette: REXFET-1 Series
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| RBE034N15R1SZQ4#GB0 |
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Hersteller: RENESAS
Description: RENESAS - RBE034N15R1SZQ4#GB0 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 150 V, 200 A, 0.0034 ohm, TOLL, Oberflächenmontage
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auf Bestellung 2000 Stücke:
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