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RCD051N20TL ROHM

Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RCD051N20TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 200V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 5A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.25V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 29W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)

auf Bestellung 2144 Stücke:

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Technische Details RCD051N20TL ROHM

Description: ROHM - RCD051N20TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 200V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.25V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 29W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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Bezeichnung	Hersteller	Beschreibung	Verfügbarkeit	Preis
RCD051N20TL	Hersteller : Rohm Semiconductor	Description: MOSFET N-CH 200V 5A CPT3	auf Bestellung 2085 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
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RCD051N20TL	Hersteller : ROHM	Description: ROHM - RCD051N20TL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 200 V, 5 A, 0.54 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 200V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 5A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 5.25V euEccn: NLR Verlustleistung: 29W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 150°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.54ohm SVHC: Lead (23-Jan-2024)	auf Bestellung 2144 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e)	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
RCD051N20TL	Hersteller : Rohm Semiconductor	Description: MOSFET N-CH 200V 5A CPT3	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH
RCD051N20TL	Hersteller : ROHM Semiconductor	MOSFET 10V Drive Nch Power MOSFET	Produkt ist nicht verfügbar	Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH