RD3E07BBJHRBTL ROHM
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RD3E07BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
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Technische Details RD3E07BBJHRBTL ROHM
Description: ROHM - RD3E07BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 30V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 78A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 77W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: p-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm, SVHC: No SVHC (21-Jan-2025).
Weitere Produktangebote RD3E07BBJHRBTL nach Preis ab 1.11 EUR bis 4.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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RD3E07BBJHRBTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Pch -30V -78A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive |
auf Bestellung 2239 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RD3E07BBJHRBTL | ROHM |
Description: ROHM - RD3E07BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 30V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 78A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 77W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: p-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm SVHC: No SVHC (21-Jan-2025) |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3E07BBJHRBTL |
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Pch -30V -78A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
MOSFETs Pch -30V -78A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
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| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 4.08 EUR |
| 10+ | 2.62 EUR |
| 100+ | 1.82 EUR |
| 500+ | 1.52 EUR |
| 1000+ | 1.3 EUR |
| 2500+ | 1.11 EUR |
| RD3E07BBJHRBTL |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RD3E07BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 30V
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Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: p-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
Description: ROHM - RD3E07BBJHRBTL - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 30 V, 78 A, 0.0085 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 77W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: p-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0085ohm
SVHC: No SVHC (21-Jan-2025)
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 59+ | 4.25 EUR |
| 79+ | 2.95 EUR |