RD3G04BBKHRBTL ROHM
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RD3G04BBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 7000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Technische Details RD3G04BBKHRBTL ROHM
Description: ROHM - RD3G04BBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 7000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 40A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 53W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm.
Weitere Produktangebote RD3G04BBKHRBTL nach Preis ab 0.9 EUR bis 4.18 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||||
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RD3G04BBKHRBTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs TO252 N-CH 40V 40A |
auf Bestellung 1985 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RD3G04BBKHRBTL | ROHM |
Description: ROHM - RD3G04BBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 7000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 40A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 53W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3G04BBKHRBTL |
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs TO252 N-CH 40V 40A
MOSFETs TO252 N-CH 40V 40A
auf Bestellung 1985 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 3.39 EUR |
| 10+ | 2.15 EUR |
| 100+ | 1.44 EUR |
| 500+ | 1.14 EUR |
| 1000+ | 1.04 EUR |
| 2500+ | 0.93 EUR |
| 5000+ | 0.9 EUR |
| RD3G04BBKHRBTL |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RD3G04BBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 7000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
Description: ROHM - RD3G04BBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 40 A, 7000 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 7000µohm
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 60+ | 4.18 EUR |
| 95+ | 2.46 EUR |