RD3G08CBKHRBTL ROHM Semiconductor
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 3.17 EUR |
| 10+ | 2.62 EUR |
| 100+ | 2.09 EUR |
| 250+ | 1.92 EUR |
| 500+ | 1.74 EUR |
| 1000+ | 1.5 EUR |
| 2500+ | 1.43 EUR |
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Technische Details RD3G08CBKHRBTL ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RD3G08CBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 96W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).
Weitere Produktangebote RD3G08CBKHRBTL
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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 |
RD3G08CBKHRBTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RD3G08CBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3100 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 96W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3100µohm SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) |
auf Bestellung 2530 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |