RD3G08CBLHRBTL ROHM
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RD3G08CBLHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 100+ | 2.44 EUR |
| 500+ | 2.05 EUR |
| 1000+ | 1.89 EUR |
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Technische Details RD3G08CBLHRBTL ROHM
Description: ROHM - RD3G08CBLHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: Y-EX, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 96W, SVHC: No SVHC (27-Jun-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm.
Weitere Produktangebote RD3G08CBLHRBTL nach Preis ab 1.63 EUR bis 7.15 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||||
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RD3G08CBLHRBTL | ROHM Semiconductor | MOSFETs Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive |
auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RD3G08CBLHRBTL | ROHM |
Description: ROHM - RD3G08CBLHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 96W SVHC: No SVHC (27-Jun-2024) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm |
auf Bestellung 2480 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3G08CBLHRBTL |
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
MOSFETs Nch 40V 80A, TO-252 (DPAK), Power MOSFET for Automotive
auf Bestellung 2480 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 5.13 EUR |
| 10+ | 2.53 EUR |
| 100+ | 2.28 EUR |
| 500+ | 1.83 EUR |
| 1000+ | 1.77 EUR |
| 2500+ | 1.63 EUR |
| RD3G08CBLHRBTL |
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RD3G08CBLHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
Description: ROHM - RD3G08CBLHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 80 A, 3200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 3200µohm
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| 35+ | 7.15 EUR |
| 55+ | 4.3 EUR |
| 100+ | 2.44 EUR |
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