RD3G400GNTL Rohm Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details RD3G400GNTL Rohm Semiconductor
Category: SMD N channel transistors, Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 80A; 26W; DPAK,TO252, Case: DPAK; TO252, Mounting: SMD, Kind of package: reel; tape, Gate-source voltage: ±20V, Drain-source voltage: 40V, Kind of channel: enhancement, Type of transistor: N-MOSFET, Polarisation: unipolar, Gate charge: 19nC, On-state resistance: 9.5mΩ, Power dissipation: 26W, Drain current: 40A, Pulsed drain current: 80A.
Weitere Produktangebote RD3G400GNTL nach Preis ab 0.91 EUR bis 2.45 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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RD3G400GNTL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
 MOSFETs Transistor, MOSFET Nch, 40V(Vdss), 40.0A(Id), (4.5V Drive) |
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RD3G400GNTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: MOSFET N-CH 40V 40A TO252 |
auf Bestellung 15000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RD3G400GNTL | Hersteller : ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 40V; 40A; Idm: 80A; 26W; DPAK,TO252 Case: DPAK; TO252 Mounting: SMD Kind of package: reel; tape Gate-source voltage: ±20V Drain-source voltage: 40V Kind of channel: enhancement Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Gate charge: 19nC On-state resistance: 9.5mΩ Power dissipation: 26W Drain current: 40A Pulsed drain current: 80A |
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