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RD3H160SPTL1

RD3H160SPTL1 Rohm Semiconductor

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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 45V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details RD3H160SPTL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RD3H160SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 16A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, isCanonical: N, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V, Verlustleistung: 20W, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: p-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm.

Weitere Produktangebote RD3H160SPTL1 nach Preis ab 0.84 EUR bis 5.07 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RD3H160SPTL1 RD3H160SPTL1 Rohm Semiconductor rd3h160sptl-e.pdf Trans MOSFET P-CH 45V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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90+1.92 EUR
100+1.81 EUR
250+1.7 EUR
500+1.59 EUR
1000+1.52 EUR
2500+1.45 EUR
5000+1.38 EUR
Mindestbestellmenge: 90 Stücke
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RD3H160SPTL1 RD3H160SPTL1 ROHM rd3h160sptl-e.pdf Description: ROHM - RD3H160SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 630 Stücke:
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100+3.02 EUR
113+1.89 EUR
500+1.51 EUR
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RD3H160SPTL1 RD3H160SPTL1 Rohm Semiconductor rd3h160sptl-e.pdf Trans MOSFET P-CH 45V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Mindestbestellmenge: 57 Stücke
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RD3H160SPTL1 RD3H160SPTL1 Rohm Semiconductor rd3h160sptl-e.pdf Trans MOSFET P-CH 45V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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78+2.18 EUR
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85+1.93 EUR
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250+1.44 EUR
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RD3H160SPTL1 RD3H160SPTL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=RD3H160SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Pch -45V -16A TO-252(DPAK)
auf Bestellung 2884 Stücke:
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1+4.21 EUR
10+2.05 EUR
100+1.83 EUR
500+1.46 EUR
1000+1.37 EUR
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RD3H160SPTL1 RD3H160SPTL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3H160SP&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET P-CH 45V 16A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 50mOhm @ 16A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
auf Bestellung 951 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
5+4.3 EUR
10+2.74 EUR
50+2.07 EUR
100+1.86 EUR
500+1.49 EUR
Mindestbestellmenge: 5 Stücke
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RD3H160SPTL1 RD3H160SPTL1 ROHM rd3h160sptl-e.pdf Description: ROHM - RD3H160SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 630 Stücke:
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50+5.07 EUR
77+3.02 EUR
113+1.89 EUR
500+1.51 EUR
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RD3H160SPTL1 RD3H160SPTL1 Rohm Semiconductor rd3h160sptl-e.pdf Trans MOSFET P-CH 45V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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 Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 45V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 7300 Stücke:
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100+1.81 EUR
250+1.7 EUR
500+1.59 EUR
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5000+1.38 EUR
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RD3H160SPTL1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RD3H160SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: N
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
auf Bestellung 630 Stücke:
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100+3.02 EUR
113+1.89 EUR
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RD3H160SPTL1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 45V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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79+2.11 EUR
83+1.95 EUR
86+1.8 EUR
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500+0.99 EUR
1000+0.84 EUR
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RD3H160SPTL1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 45V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 2216 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
56+3.09 EUR
78+2.18 EUR
82+2.05 EUR
85+1.93 EUR
109+1.46 EUR
250+1.44 EUR
500+1.14 EUR
1000+0.98 EUR
Mindestbestellmenge: 56 Stücke
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MOSFETs Pch -45V -16A TO-252(DPAK)
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET P-CH 45V 16A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 16A (Ta)
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Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 3V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 16 nC @ 5 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2000 pF @ 10 V
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RD3H160SPTL1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RD3H160SPTL1 - Leistungs-MOSFET, p-Kanal, 45 V, 16 A, 0.05 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 45V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 16A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 3V
Verlustleistung: 20W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: p-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.05ohm
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RD3H160SPTL1
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET P-CH 45V 16A 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
auf Bestellung 12 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Mindestbestellmenge: 12 Stücke
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