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RD3H200SNTL1

RD3H200SNTL1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RD3H200SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 45V 20A TO252
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 10 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 12 nC @ 5 V
Drain to Source Voltage (Vdss): 45 V
Vgs (Max): ±20V
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-252
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 28mOhm @ 20A, 10V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 20A (Ta)
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Operating Temperature: -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Packaging: Cut Tape (CT)
auf Bestellung 1511 Stücke:
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7+3.28 EUR
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Technische Details RD3H200SNTL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RD3H200SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 20 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 45V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 20A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, MSL: MSL 1 - unbegrenzt, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote RD3H200SNTL1 nach Preis ab 1.08 EUR bis 3.94 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RD3H200SNTL1 RD3H200SNTL1 ROHM rd3h200sntl1-e.pdf Description: ROHM - RD3H200SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 20 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Qualifikation: -
MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
76+3.32 EUR
101+2.31 EUR
136+1.58 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 76 Stücke
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RD3H200SNTL1 RD3H200SNTL1 ROHM rd3h200sntl1-e.pdf Description: ROHM - RD3H200SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 20 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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MSL: MSL 1 - unbegrenzt
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Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.028ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 1943 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
100+3.32 EUR
101+2.31 EUR
136+1.58 EUR
500+1.24 EUR
1000+1.08 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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RD3H200SNTL1 RD3H200SNTL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=RD3H200SN&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Nch 45V 20A TO-252 (DPAK)
auf Bestellung 6871 Stücke:
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10+2.43 EUR
100+1.69 EUR
500+1.37 EUR
1000+1.23 EUR
2500+1.12 EUR
5000+1.09 EUR
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RD3H200SNTL1 rd3h200sntl1-e.pdf
RD3H200SNTL1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RD3H200SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 20 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Anzahl der Pins: 3Pin(s)
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RD3H200SNTL1
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RD3H200SNTL1 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 45 V, 20 A, 0.028 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
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Betriebstemperatur, max.: 150°C
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