RD3L08CBLHRBTL ROHM
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RD3L08CBLHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
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Technische Details RD3L08CBLHRBTL ROHM
Description: ROHM - RD3L08CBLHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 96W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm.
Weitere Produktangebote RD3L08CBLHRBTL nach Preis ab 2.36 EUR bis 6.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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RD3L08CBLHRBTL | ROHM |
Description: ROHM - RD3L08CBLHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 96W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3L08CBLHRBTL |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RD3L08CBLHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
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usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
Description: ROHM - RD3L08CBLHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 80 A, 5300 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Drain-Source-Spannung Vds: 60V
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Qualifikation: AEC-Q101
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 5300µohm
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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