RD3P06BBKHRBTL ROHM Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 2+ | 2.55 EUR |
| 10+ | 2.13 EUR |
| 100+ | 1.74 EUR |
| 2500+ | 1.47 EUR |
| 5000+ | 1.44 EUR |
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Technische Details RD3P06BBKHRBTL ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RD3P06BBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0158 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 59A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 76W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm, SVHC: To Be Advised.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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RD3P06BBKHRBTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RD3P06BBKHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 59 A, 0.0158 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 59A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V euEccn: NLR Verlustleistung: 76W Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Kanaltyp: n-Kanal Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.0158ohm SVHC: To Be Advised |
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