RD3P08BBLHRBTL ROHM Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 7.28 EUR |
| 10+ | 3.71 EUR |
| 100+ | 3.36 EUR |
| 500+ | 2.76 EUR |
| 2500+ | 2.62 EUR |
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Technische Details RD3P08BBLHRBTL ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RD3P08BBLHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 80A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 142W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm.
Weitere Produktangebote RD3P08BBLHRBTL nach Preis ab 2.82 EUR bis 8.95 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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RD3P08BBLHRBTL | Rohm Semiconductor |
 Description: NCH 100V 80A, TO-252 (DPAK), POW |
auf Bestellung 2247 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RD3P08BBLHRBTL | ROHM |
Description: ROHM - RD3P08BBLHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 100V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 80A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 142W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK) Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 175°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm |
auf Bestellung 90 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RD3P08BBLHRBTL |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 100V 80A, TO-252 (DPAK), POW
Description: NCH 100V 80A, TO-252 (DPAK), POW
auf Bestellung 2247 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 3+ | 7.41 EUR |
| 10+ | 4.86 EUR |
| 50+ | 3.76 EUR |
| 100+ | 3.4 EUR |
| 500+ | 2.82 EUR |
| RD3P08BBLHRBTL |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RD3P08BBLHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
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Qualifikation: AEC-Q101
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Verlustleistung: 142W
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Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
Description: ROHM - RD3P08BBLHRBTL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 80 A, 6200 µohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Verlustleistung: 142W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 6200µohm
auf Bestellung 90 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 28+ | 8.95 EUR |
| 42+ | 5.64 EUR |