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RD3P175SNFRATL

RD3P175SNFRATL ROHM

datasheet?p=RD3P175SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RD3P175SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17.5 A, 0.075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2471 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
100+2.86 EUR
118+1.83 EUR
500+1.5 EUR
1000+1.45 EUR
Mindestbestellmenge: 100 Stücke
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Technische Details RD3P175SNFRATL ROHM

Description: ROHM - RD3P175SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17.5 A, 0.075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 100V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 17.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 20W, Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK), Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

Weitere Produktangebote RD3P175SNFRATL nach Preis ab 1.27 EUR bis 5.41 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RD3P175SNFRATL RD3P175SNFRATL ROHM Semiconductor datasheet?p=RD3P175SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key MOSFETs Nch 100V Vdss 17.5A TO-252(DPAK); TO-252
auf Bestellung 5175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+3.28 EUR
10+2.45 EUR
100+1.8 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.43 EUR
2500+1.29 EUR
5000+1.27 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P175SNFRATL RD3P175SNFRATL Rohm Semiconductor datasheet?p=RD3P175SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: MOSFET N-CH 100V 17.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
auf Bestellung 1500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
7+3.42 EUR
10+3.06 EUR
100+2.46 EUR
500+2.02 EUR
1000+1.68 EUR
Mindestbestellmenge: 7 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P175SNFRATL RD3P175SNFRATL ROHM datasheet?p=RD3P175SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RD3P175SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17.5 A, 0.075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
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Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2451 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
55+4.57 EUR
81+2.88 EUR
115+1.87 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P175SNFRATL ROHM - Japan datasheet?p=RD3P175SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 105mOhm; 17,5A; 20W; -55°C~150°C; TO-252-3; DPak (2 Leads + Tab); SC-63; RD3P175SNFRATL Rohm Semiconductor TRD3p175snfratl
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
auf Bestellung 10 Stücke:
Lieferzeit 7-14 Tag (e)
10+5.41 EUR
Mindestbestellmenge: 10 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RD3P175SNFRATL datasheet?p=RD3P175SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3P175SNFRATL
Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs Nch 100V Vdss 17.5A TO-252(DPAK); TO-252
auf Bestellung 5175 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+3.28 EUR
10+2.45 EUR
100+1.8 EUR
500+1.54 EUR
1000+1.43 EUR
2500+1.29 EUR
5000+1.27 EUR
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RD3P175SNFRATL datasheet?p=RD3P175SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3P175SNFRATL
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 100V 17.5A TO252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: 150°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 17.5A (Ta)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 105mOhm @ 8.8A, 10V
Power Dissipation (Max): 20W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 2.5V @ 1mA
Supplier Device Package: TO-252
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 4V, 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 24 nC @ 10 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 950 pF @ 25 V
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RD3P175SNFRATL datasheet?p=RD3P175SNFRA&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RD3P175SNFRATL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RD3P175SNFRATL - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 100 V, 17.5 A, 0.075 ohm, TO-252 (DPAK), Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
Drain-Source-Spannung Vds: 100V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 17.5A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
usEccn: EAR99
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
euEccn: NLR
Verlustleistung: 20W
Bauform - Transistor: TO-252 (DPAK)
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.075ohm
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 2451 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
55+4.57 EUR
81+2.88 EUR
115+1.87 EUR
500+1.52 EUR
1000+1.42 EUR
Mindestbestellmenge: 55 Stücke
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Transistor N-Channel MOSFET; 600V; 30V; 105mOhm; 17,5A; 20W; -55°C~150°C; TO-252-3; DPak (2 Leads + Tab); SC-63; RD3P175SNFRATL Rohm Semiconductor TRD3p175snfratl
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Lieferzeit 7-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
10+5.41 EUR
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