RF081LAM2STR Rohm Semiconductor
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Technische Details RF081LAM2STR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RF081LAM2STR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 980 mV, 25 ns, 25 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOD-128, Durchlassstoßstrom: 25A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 980mV, Sperrverzögerungszeit: 25ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RF081LAM2STR nach Preis ab 0.13 EUR bis 0.7 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
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Preis | ||||||||||||||
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RF081LAM2STR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Rectifier Diode Switching Si 200V 1.1A 25ns 2-Pin PMDT-M T/R |
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RF081LAM2STR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1.1A PMDTM Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: SOD-128 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1.1A Supplier Device Package: PMDTM Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
auf Bestellung 2990 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RF081LAM2STR | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Rectifiers 200V Vr 1A Io Fast Recovery Diode |
auf Bestellung 8 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RF081LAM2STR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RF081LAM2STR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 980 mV, 25 ns, 25 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-128 Durchlassstoßstrom: 25A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 980mV Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2982 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RF081LAM2STR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RF081LAM2STR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 980 mV, 25 ns, 25 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: SOD-128 Durchlassstoßstrom: 25A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 980mV Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2982 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RF081LAM2STR | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 200V 1.1A PMDTM Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: SOD-128 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 1.1A Supplier Device Package: PMDTM Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 1 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
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