RF1001NS2DFHTL ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM SemiconductorRectifiers RF1001NS2DFH is the high reliability Automotive Schottky Barrier Diode, suitable for General rectification.
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Technische Details RF1001NS2DFHTL ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RF1001NS2DFHTL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 930 mV, 25 ns, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-263S, Durchlassstoßstrom: 80A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 930mV, Sperrverzögerungszeit: 25ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote RF1001NS2DFHTL nach Preis ab 1 EUR bis 2 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||
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RF1001NS2DFHTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: LPDS Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
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RF1001NS2DFHTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RF1001NS2DFHTL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 930 mV, 25 ns tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263S Durchlassstoßstrom: 80A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 930mV Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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RF1001NS2DFHTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RF1001NS2DFHTL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 10 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 930 mV, 25 ns tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-263S Durchlassstoßstrom: 80A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 930mV Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: Multicomp Pro RJ45 Adapter productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C |
auf Bestellung 180 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RF1001NS2DFHTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Diode Switching 200V 10A Automotive AEC-Q101 3-Pin(2+Tab) LPDS T/R |
auf Bestellung 978 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RF1001NS2DFHTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: SUPER FAST RECOVERY DIODE (AEC-Q Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A Supplier Device Package: LPDS Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
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