RF1S22N10SM Harris Corporation
Hersteller: Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET
Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V
Part Status: Active
Supplier Device Package: TO-263AB
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A
FET Type: N-Channel
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Packaging: Bulk
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Technische Details RF1S22N10SM Harris Corporation
Description: N-CHANNEL POWER MOSFET, Drain to Source Voltage (Vdss): 100 V, Part Status: Active, Supplier Device Package: TO-263AB, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 22A, FET Type: N-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB, Packaging: Bulk.
Weitere Produktangebote RF1S22N10SM nach Preis ab 1.35 EUR bis 1.69 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Preis |
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|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
| RF1S22N10SM | HARRIS |
RF1S22N10SM |
auf Bestellung 2310 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RF1S22N10SM | HARRIS |
RF1S22N10SM |
auf Bestellung 1543 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RF1S22N10SM |
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auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RF1S22N10SM |
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Hersteller: HARRIS
RF1S22N10SM
RF1S22N10SM
auf Bestellung 2310 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 325+ | 1.69 EUR |
| 500+ | 1.5 EUR |
| 1000+ | 1.35 EUR |
| RF1S22N10SM |
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Hersteller: HARRIS
RF1S22N10SM
RF1S22N10SM
auf Bestellung 1543 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
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| 325+ | 1.69 EUR |
| 500+ | 1.5 EUR |
| 1000+ | 1.35 EUR |
| RF1S22N10SM |
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auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 21-28 Tag (e)

