RF2L42008CG2 STMicroelectronics
Hersteller: STMicroelectronics
Description: RF MOSFET LDMOS E2
Voltage - Rated: 65 V
Supplier Device Package: E2
Technology: LDMOS
Gain: 14.5dB
Power - Output: 8W
Frequency: 700MHz ~ 4.2GHz
Mounting Type: Surface Mount
Current Rating (Amps): 1µA
Package / Case: E2
Packaging: Bulk
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details RF2L42008CG2 STMicroelectronics
Description: RF MOSFET LDMOS E2, Voltage - Rated: 65 V, Supplier Device Package: E2, Technology: LDMOS, Gain: 14.5dB, Power - Output: 8W, Frequency: 700MHz ~ 4.2GHz, Mounting Type: Surface Mount, Current Rating (Amps): 1µA, Package / Case: E2, Packaging: Bulk.
Weitere Produktangebote RF2L42008CG2
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
|---|---|---|---|---|---|
 |
RF2L42008CG2 | STMicroelectronics |
 RF MOSFET Transistors 8 W, 28 V, 0.7 to 4.2 GHz RF power LDMOS transistor |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 300 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RF2L42008CG2 |
|
Hersteller: STMicroelectronics
RF MOSFET Transistors 8 W, 28 V, 0.7 to 4.2 GHz RF power LDMOS transistor
RF MOSFET Transistors 8 W, 28 V, 0.7 to 4.2 GHz RF power LDMOS transistor
Produkt ist nicht verfügbar
Mindestbestellmenge: 300 Stücke
Im Einkaufswagen
Stück im Wert von UAH