RF501BGE2STL Rohm Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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Technische Details RF501BGE2STL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RF501BGE2STL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 5 A, Einfach, 920 mV, 25 ns, 40 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Durchlassstoßstrom: 40A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 920mV, Sperrverzögerungszeit: 25ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RF501BGE2STL nach Preis ab 0.79 EUR bis 3.03 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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RF501BGE2STL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Rectifier Diode Switching Si 200V 5A 25ns 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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RF501BGE2STL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 200V 5A TO252GE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: TO-252GE Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
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RF501BGE2STL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RF501BGE2STL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 5 A, Einfach, 920 mV, 25 ns, 40 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 40A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 920mV Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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RF501BGE2STL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RF501BGE2STL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 5 A, Einfach, 920 mV, 25 ns, 40 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 40A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 920mV Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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RF501BGE2STL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 200V 5A TO252GE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: TO-252GE Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 920 mV @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V |
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RF501BGE2STL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Diodes - General Purpose, Power, Switching Super Fast Recovery Diode |
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