RF505BGE6STL Rohm Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
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| 143+ | 1.04 EUR |
| 162+ | 0.88 EUR |
| 185+ | 0.75 EUR |
| 200+ | 0.69 EUR |
| 500+ | 0.62 EUR |
| 1000+ | 0.57 EUR |
| 2500+ | 0.50 EUR |
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Technische Details RF505BGE6STL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RF505BGE6STL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 5 A, Einfach, 1.7 V, 30 ns, 50 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Durchlassstoßstrom: 50A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.7V, Sperrverzögerungszeit: 30ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RF505BGE6STL nach Preis ab 0.90 EUR bis 3.57 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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RF505BGE6STL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Rectifier Diode Switching Si 600V 5A 30ns 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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RF505BGE6STL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252GE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: TO-252GE Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
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RF505BGE6STL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RF505BGE6STL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 5 A, Einfach, 1.7 V, 30 ns, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 30ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2471 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RF505BGE6STL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RF505BGE6STL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 5 A, Einfach, 1.7 V, 30 ns, 50 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 50A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.7V Sperrverzögerungszeit: 30ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 2471 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RF505BGE6STL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252GE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: TO-252GE Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.7 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
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RF505BGE6STL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Diodes - General Purpose, Power, Switching Super Fast Recovery Diode |
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