RF601BGE2DTL Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: DIODE ARRAY GP 200V 3A TO252GE
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 3 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
auf Bestellung 2424 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 8+ | 2.39 EUR |
| 10+ | 1.96 EUR |
| 100+ | 1.52 EUR |
| 500+ | 1.29 EUR |
| 1000+ | 1.05 EUR |
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Technische Details RF601BGE2DTL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RF601BGE2DTL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 6 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 930 mV, 25 ns, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Durchlassstoßstrom: 60A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 930mV, Sperrverzögerungszeit: 25ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RF601BGE2DTL nach Preis ab 0.94 EUR bis 2.41 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||
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RF601BGE2DTL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Diodes - General Purpose, Power, Switching Super Fast Recovery Diode |
auf Bestellung 2106 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RF601BGE2DTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RF601BGE2DTL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 6 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 930 mV, 25 ns tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 60A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 930mV Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1715 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RF601BGE2DTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Rectifier Diode Switching Si 200V 6A 25ns 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RF601BGE2DTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RF601BGE2DTL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 6 A, Zweifach, gemeinsame Kathode, 930 mV, 25 ns tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 60A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Zweifach, gemeinsame Kathode Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 930mV Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 6A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 1715 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RF601BGE2DTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE ARRAY GP 200V 3A TO252GE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 25 ns Technology: Standard Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 3A Supplier Device Package: TO-252GE Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 930 mV @ 3 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V |
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