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RF6G035BGTCR

RF6G035BGTCR ROHM Semiconductor


Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs SOT363 N CHAN 40V
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Technische Details RF6G035BGTCR ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RF6G035BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 3.5 A, 0.046 ohm, SOT-363T, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 3.5A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: -, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 1W, Bauform - Transistor: SOT-363T, Anzahl der Pins: 6Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm, SVHC: To Be Advised.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RF6G035BGTCR RF6G035BGTCR ROHM rf6g035bgtcr-e.pdf Description: ROHM - RF6G035BGTCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 3.5 A, 0.046 ohm, SOT-363T, Oberflächenmontage
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Bauform - Transistor: SOT-363T
Anzahl der Pins: 6Pin(s)
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Kanaltyp: n-Kanal
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.046ohm
SVHC: To Be Advised
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314+0.74 EUR
479+0.45 EUR
614+0.35 EUR
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Hersteller: ROHM
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