RF7G120BLFRATCR Rohm Semiconductor
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Technische Details RF7G120BLFRATCR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RF7G120BLFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.019 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 23W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WFDFN2020, Anzahl der Pins: 8Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm.
Weitere Produktangebote RF7G120BLFRATCR nach Preis ab 1.02 EUR bis 4.25 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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RF7G120BLFRATCR | Rohm Semiconductor |
 Description: NCH 40V 12A, DFN2020Y8LSAA, POWE |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RF7G120BLFRATCR | ROHM |
Description: ROHM - RF7G120BLFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.019 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 23W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WFDFN2020 Anzahl der Pins: 8Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RF7G120BLFRATCR |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 12A, DFN2020Y8LSAA, POWE
Description: NCH 40V 12A, DFN2020Y8LSAA, POWE
auf Bestellung 3000 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 7+ | 3.08 EUR |
| 11+ | 1.95 EUR |
| 50+ | 1.46 EUR |
| 100+ | 1.3 EUR |
| 500+ | 1.02 EUR |
| RF7G120BLFRATCR |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RF7G120BLFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.019 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 23W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN2020
Anzahl der Pins: 8Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.019ohm
Description: ROHM - RF7G120BLFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.019 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage
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Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
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