RF9G120BLFRATCR Rohm Semiconductor
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Technische Details RF9G120BLFRATCR Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RF9G120BLFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.018 ohm, DFN2020Y, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 40V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, Verlustleistung: 23W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: DFN2020Y, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm.
Weitere Produktangebote RF9G120BLFRATCR nach Preis ab 1.02 EUR bis 4.38 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||||
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RF9G120BLFRATCR | Rohm Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 6-Pin DFN EP |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RF9G120BLFRATCR | Rohm Semiconductor |
Description: NCH 40V 12A, DFN2020Y7LSAA, POWE |
auf Bestellung 3000 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RF9G120BLFRATCR | ROHM |
Description: ROHM - RF9G120BLFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.018 ohm, DFN2020Y, Oberflächenmontage tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 40V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V Verlustleistung: 23W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: DFN2020Y Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RF9G120BLFRATCR |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 6-Pin DFN EP
Trans MOSFET N-CH 40V 12A Automotive 6-Pin DFN EP
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 100+ | 2.75 EUR |
| RF9G120BLFRATCR |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: NCH 40V 12A, DFN2020Y7LSAA, POWE
Description: NCH 40V 12A, DFN2020Y7LSAA, POWE
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 7+ | 3.09 EUR |
| 11+ | 1.96 EUR |
| 50+ | 1.46 EUR |
| 100+ | 1.31 EUR |
| 500+ | 1.02 EUR |
| RF9G120BLFRATCR |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RF9G120BLFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.018 ohm, DFN2020Y, Oberflächenmontage
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euEccn: NLR
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 23W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020Y
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
Description: ROHM - RF9G120BLFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 40 V, 12 A, 0.018 ohm, DFN2020Y, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 40V
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Qualifikation: AEC-Q101
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: DFN2020Y
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.018ohm
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Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
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| 58+ | 4.38 EUR |