RF9L120BKFRATCR ROHM Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 3.03 EUR |
| 10+ | 1.93 EUR |
| 100+ | 1.29 EUR |
| 500+ | 1.01 EUR |
| 1000+ | 0.92 EUR |
| 3000+ | 0.81 EUR |
| 6000+ | 0.79 EUR |
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Technische Details RF9L120BKFRATCR ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RF9L120BKFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.03 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, euEccn: NLR, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: TBA, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V, Verlustleistung: 23W, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025), Bauform - Transistor: WFDFN2020, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm.
Weitere Produktangebote RF9L120BKFRATCR nach Preis ab 3.93 EUR bis 3.93 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||
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RF9L120BKFRATCR | ROHM |
 Description: ROHM - RF9L120BKFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.03 ohm, WFDFN2020, OberflächenmontagetariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage euEccn: NLR Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 12A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: TBA Qualifikation: AEC-Q101 isCanonical: Y Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V Verlustleistung: 23W SVHC: No SVHC (25-Jun-2025) Bauform - Transistor: WFDFN2020 Anzahl der Pins: 7Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code usEccn: EAR99 Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C Rds(on)-Prüfspannung: 10V Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm |
auf Bestellung 100 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RF9L120BKFRATCR |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RF9L120BKFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.03 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: YES
Dauer-Drainstrom Id: 12A
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
isCanonical: Y
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 23W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN2020
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
Description: ROHM - RF9L120BKFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.03 ohm, WFDFN2020, Oberflächenmontage
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rohsPhthalatesCompliant: TBA
Qualifikation: AEC-Q101
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Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 2.5V
Verlustleistung: 23W
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: WFDFN2020
Anzahl der Pins: 7Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
auf Bestellung 100 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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