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RF9L120BLFRATCR

RF9L120BLFRATCR ROHM Semiconductor


Hersteller: ROHM Semiconductor
MOSFETs DFN2020 N-CH 60V 12A
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Technische Details RF9L120BLFRATCR ROHM Semiconductor

Description: ROHM - RF9L120BLFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.03 ohm, DFN2020Y, Oberflächenmontage, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 60V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 12A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Qualifikation: AEC-Q101, isCanonical: Y, usEccn: EAR99, Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V, euEccn: NLR, Verlustleistung: 23W, Bauform - Transistor: DFN2020Y, Anzahl der Pins: 7Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Rds(on)-Prüfspannung: 10V, Betriebstemperatur, max.: 150°C, Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm, SVHC: No SVHC (25-Jun-2025).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RF9L120BLFRATCR RF9L120BLFRATCR ROHM Description: ROHM - RF9L120BLFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.03 ohm, DFN2020Y, Oberflächenmontage
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Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.03ohm
SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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RF9L120BLFRATCR RF9L120BLFRATCR ROHM Description: ROHM - RF9L120BLFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.03 ohm, DFN2020Y, Oberflächenmontage
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RF9L120BLFRATCR
RF9L120BLFRATCR
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RF9L120BLFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.03 ohm, DFN2020Y, Oberflächenmontage
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SVHC: No SVHC (25-Jun-2025)
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RF9L120BLFRATCR
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RF9L120BLFRATCR - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 12 A, 0.03 ohm, DFN2020Y, Oberflächenmontage
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