Technische Details RFD14N05 Fairchild
Description: MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK, Packaging: Tube, Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V, Power Dissipation (Max): 48W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: IPAK, Part Status: Obsolete, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote RFD14N05
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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| RFD14N05 | Fairchild/ON Semiconductor |
 N-канальный ПТ (Vds=50V, Id=14A, Rds=0.1 R, P=48W, -55 to +175C).... Транзистори Корпус: TO-251AA Од. вим: штAnzahl je Verpackung: 1 Stücke |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
| RFD14N05 | ONS/FAI |
(MFET,N-CH,LL,50V,14A,TO-220AB) Транзистори |
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RFD14N05 | onsemi |
Description: MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK Packaging: Tube Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V Power Dissipation (Max): 48W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: IPAK Part Status: Obsolete Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V |
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RFD14N05 | onsemi / Fairchild |
MOSFET TO-251AA N-Ch Power |
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| RFD14N05 |
|
Hersteller: Fairchild/ON Semiconductor
N-канальный ПТ (Vds=50V, Id=14A, Rds=0.1 R, P=48W, -55 to +175C).... Транзистори Корпус: TO-251AA Од. вим: шт
Anzahl je Verpackung: 1 Stücke
N-канальный ПТ (Vds=50V, Id=14A, Rds=0.1 R, P=48W, -55 to +175C).... Транзистори Корпус: TO-251AA Од. вим: шт
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| RFD14N05 |
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Hersteller: ONS/FAI
(MFET,N-CH,LL,50V,14A,TO-220AB) Транзистори
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| RFD14N05 |
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Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
Description: MOSFET N-CH 50V 14A I-PAK
Packaging: Tube
Package / Case: TO-251-3 Short Leads, IPak, TO-251AA
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 14A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 100mOhm @ 14A, 10V
Power Dissipation (Max): 48W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: IPAK
Part Status: Obsolete
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 40 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 570 pF @ 25 V
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| RFD14N05 |
|
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFET TO-251AA N-Ch Power
MOSFET TO-251AA N-Ch Power
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