RFD8P05+SM
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Technische Details RFD8P05+SM
Description: MOSFET P-CH 50V 8A TO252AA, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 80 nC @ 20 V, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Part Status: Obsolete, Supplier Device Package: TO-252AA, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Rds On (Max) @ Id, Vgs: 300mOhm @ 8A, 10V, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 8A (Tc), FET Type: P-Channel, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Mounting Type: Surface Mount, Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Packaging: Tube.
Weitere Produktangebote RFD8P05+SM
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| RFD8P05SM | HARRIS |
2000 TO-252 |
auf Bestellung 1920 Stücke: Lieferzeit 21-28 Tag (e) |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RFD8P05SM |
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Hersteller: HARRIS
2000 TO-252
2000 TO-252
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