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RFL30TZ6SGC13

RFL30TZ6SGC13 Rohm Semiconductor

rfl30tz6sgc13-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Diode Switching Si 650V 30A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
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Technische Details RFL30TZ6SGC13 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RFL30TZ6SGC13 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 30 A, Einfach, 1.5 V, 270 ns, 200 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-247, Durchlassstoßstrom: 200A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.5V, Sperrverzögerungszeit: 270ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RFL30TZ6SGC13 RFL30TZ6SGC13 Rohm Semiconductor rfl30tz6sgc13-e.pdf Diode Switching Si 650V 30A 2-Pin(2+Tab) TO-247 Tube
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RFL30TZ6SGC13 RFL30TZ6SGC13 Rohm Semiconductor datasheet?p=RFL30TZ6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE GEN PURP 650V 30A TO247GE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247GE
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
auf Bestellung 625 Stücke:
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3+8.29 EUR
30+6.58 EUR
120+5.64 EUR
510+5.51 EUR
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RFL30TZ6SGC13 RFL30TZ6SGC13 ROHM Semiconductor datasheet?p=RFL30TZ6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Rectifiers Diode, Fast Recovery, 650V 30A, TO-247-2L
auf Bestellung 1095 Stücke:
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1+11.88 EUR
10+6.78 EUR
100+5.89 EUR
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RFL30TZ6SGC13 RFL30TZ6SGC13 ROHM datasheet?p=RFL30TZ6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RFL30TZ6SGC13 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 30 A, Einfach, 1.5 V, 270 ns, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.5V
Sperrverzögerungszeit: 270ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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16+16.42 EUR
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 650V 30A TO247GE
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-2
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 55 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 30A
Supplier Device Package: TO-247GE
Operating Temperature - Junction: 175°C
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 650 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 30 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 5 µA @ 650 V
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Rectifiers Diode, Fast Recovery, 650V 30A, TO-247-2L
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RFL30TZ6SGC13
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RFL30TZ6SGC13 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 650 V, 30 A, Einfach, 1.5 V, 270 ns, 200 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-247
Durchlassstoßstrom: 200A
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 1.5V
Sperrverzögerungszeit: 270ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 30A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 650V
Anzahl der Pins: 2 Pins
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SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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