RFM01U7P(TE12L,F) Toshiba
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 1+ | 5.51 EUR |
| 25+ | 5.07 EUR |
| 50+ | 4.75 EUR |
| 100+ | 3.91 EUR |
| 250+ | 3.7 EUR |
| 500+ | 3.19 EUR |
| 1000+ | 1.99 EUR |
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Technische Details RFM01U7P(TE12L,F) Toshiba
Description: RF MOSFET 7.2V PW-MINI, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-243AA, Current Rating (Amps): 1A, Mounting Type: Surface Mount, Frequency: 520MHz, Configuration: N-Channel, Power - Output: 1.2W, Gain: 10.8dB, Technology: MOSFET (Metal Oxide), Supplier Device Package: PW-MINI, Part Status: Not For New Designs, Voltage - Rated: 20 V, Voltage - Test: 7.2 V, Current - Test: 100 mA.
Weitere Produktangebote RFM01U7P(TE12L,F) nach Preis ab 5.53 EUR bis 5.53 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||
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RFM01U7P(TE12L,F) | Hersteller : Toshiba |
 Trans RF MOSFET N-CH 20V 1A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
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RFM01U7P(TE12L,F) Produktcode: 73196
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RFM01U7P(TE12L,F) | Hersteller : Toshiba |
Trans RF MOSFET N-CH 20V 1A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
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RFM01U7P(TE12L,F) | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: RF MOSFET 7.2V PW-MINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Current Rating (Amps): 1A Mounting Type: Surface Mount Frequency: 520MHz Configuration: N-Channel Power - Output: 1.2W Gain: 10.8dB Technology: MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device Package: PW-MINI Part Status: Not For New Designs Voltage - Rated: 20 V Voltage - Test: 7.2 V Current - Test: 100 mA |
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RFM01U7P(TE12L,F) | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: RF MOSFET 7.2V PW-MINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Current Rating (Amps): 1A Mounting Type: Surface Mount Frequency: 520MHz Configuration: N-Channel Power - Output: 1.2W Gain: 10.8dB Technology: MOSFET (Metal Oxide) Supplier Device Package: PW-MINI Part Status: Not For New Designs Voltage - Rated: 20 V Voltage - Test: 7.2 V Current - Test: 100 mA |
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