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Technische Details RFM04U6P(TE12L,F) Toshiba
Description: TOSHIBA - RFM04U6P(TE12L,F) - HF-FET-Transistor, 16 V, 2 A, 7 W, SMD, tariffCode: 85412900, Transistormontage: Oberflächenmontage, Drain-Source-Spannung Vds: 16V, rohsCompliant: YES, Dauer-Drainstrom Id: 2A, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, usEccn: EAR99, Verlustleistung Pd: 7W, Betriebsfrequenz, max.: -, Betriebsfrequenz, min.: -, euEccn: NLR, Verlustleistung: 7W, Bauform - Transistor: SMD, Bauform - HF-Transistor: SMD, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: -, productTraceability: No, Kanaltyp: n-Kanal, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: To Be Advised.
Weitere Produktangebote RFM04U6P(TE12L,F) nach Preis ab 2.71 EUR bis 5.26 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||||||
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RFM04U6P(TE12L,F) | Hersteller : Toshiba |
 RF MOSFET Transistors Radio-Freq PwrMOSFET N-Ch 2A 7W 16V |
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RFM04U6P(TE12L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RFM04U6P(TE12L,F) - HF-FET-Transistor, 16 V, 2 A, 7 W, SMD tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 16V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Betriebsfrequenz, max.: - Betriebsfrequenz, min.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SMD Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
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RFM04U6P(TE12L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
Description: TOSHIBA - RFM04U6P(TE12L,F) - HF-FET-Transistor, 16 V, 2 A, 7 W, SMD tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage Drain-Source-Spannung Vds: 16V rohsCompliant: YES Dauer-Drainstrom Id: 2A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES usEccn: EAR99 Verlustleistung Pd: 7W Betriebsfrequenz, max.: - Betriebsfrequenz, min.: - euEccn: NLR Verlustleistung: 7W Bauform - Transistor: SMD Bauform - HF-Transistor: SMD Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - productTraceability: No Kanaltyp: n-Kanal Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: To Be Advised |
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RFM04U6P(TE12L,F) | Hersteller : Toshiba |
Trans RF MOSFET N-CH 16V 2A 4-Pin(3+Tab) PW-Mini T/R |
Produkt ist nicht verfügbar |
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| RFM04U6P(TE12L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 16V; 2A; 7W; PW-Mini; Pout: 4.3W Frequency: 470MHz Open-loop gain: 13.3dB Output power: 4.3W Power dissipation: 7W Efficiency: 70% Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Electrical mounting: SMT Kind of transistor: RF Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±3V Case: PW-Mini Drain-source voltage: 16V Drain current: 2A Type of transistor: N-MOSFET Anzahl je Verpackung: 1000 Stücke |
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RFM04U6P(TE12L,F) | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: RF MOSFET 6V PW-MINI Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-243AA Current Rating (Amps): 2A Mounting Type: Surface Mount Frequency: 470MHz Configuration: N-Channel Power - Output: 4.3W Gain: 13.3dB Technology: MOSFET Supplier Device Package: PW-MINI Voltage - Rated: 16 V Voltage - Test: 6 V Current - Test: 500 mA |
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RFM04U6P(TE12L,F) | Hersteller : Toshiba Semiconductor and Storage |
Description: RF MOSFET 6V PW-MINI Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-243AA Current Rating (Amps): 2A Mounting Type: Surface Mount Frequency: 470MHz Configuration: N-Channel Power - Output: 4.3W Gain: 13.3dB Technology: MOSFET Supplier Device Package: PW-MINI Voltage - Rated: 16 V Voltage - Test: 6 V Current - Test: 500 mA |
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| RFM04U6P(TE12L,F) | Hersteller : TOSHIBA |
Category: SMD N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; RF; 16V; 2A; 7W; PW-Mini; Pout: 4.3W Frequency: 470MHz Open-loop gain: 13.3dB Output power: 4.3W Power dissipation: 7W Efficiency: 70% Polarisation: unipolar Kind of package: reel; tape Electrical mounting: SMT Kind of transistor: RF Kind of channel: depletion Gate-source voltage: ±3V Case: PW-Mini Drain-source voltage: 16V Drain current: 2A Type of transistor: N-MOSFET |
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