RFN10BGE3STL Rohm Semiconductor
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Technische Details RFN10BGE3STL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RFN10BGE3STL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 350 V, 10 A, Einfach, 1.5 V, 30 ns, 80 A, tariffCode: 85044083, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Durchlassstoßstrom: 80A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.5V, Sperrverzögerungszeit: 30ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 350V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C.
Weitere Produktangebote RFN10BGE3STL nach Preis ab 0.72 EUR bis 1.83 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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RFN10BGE3STL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: DIODE GEN PURP 350V 10A TO252GEPackaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-252GE Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 350 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 350 V |
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RFN10BGE3STL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Rectifier Diode Switching Si 350V 10A 30ns 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R |
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RFN10BGE3STL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 350V 10A TO252GE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 30 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-252GE Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 350 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.5 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 350 V |
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RFN10BGE3STL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Diodes - General Purpose, Power, Switching SUPER FAST RECOVERY,SWITCHING |
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RFN10BGE3STL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RFN10BGE3STL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 350 V, 10 A, Einfach, 1.5 V, 30 ns, 80 A tariffCode: 85044083 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 80A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.5V Sperrverzögerungszeit: 30ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 350V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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RFN10BGE3STL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RFN10BGE3STL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 350 V, 10 A, Einfach, 1.5 V, 30 ns, 80 A tariffCode: 85044083 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 80A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.5V Sperrverzögerungszeit: 30ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 350V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C |
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