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RFN10RSM2STL1

RFN10RSM2STL1 Rohm Semiconductor

datasheet?p=RFN10RSM2S&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 200V 10A TO277A
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-277A
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Tape & Reel (TR)
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
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Technische Details RFN10RSM2STL1 Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RFN10RSM2STL1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 10 A, Einfach, zweifache Anode, 960 mV, 44 ns, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-277A, Durchlassstoßstrom: 130A, rohsCompliant: Y-EX, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 960mV, Sperrverzögerungszeit: 44ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: To Be Advised.

Weitere Produktangebote RFN10RSM2STL1 nach Preis ab 0.88 EUR bis 3.64 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RFN10RSM2STL1 RFN10RSM2STL1 ROHM Semiconductor datasheet?p=RFN10RSM2S&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Rectifiers 200V 10A 15ns, TO-277A, Ultra Fast Recovery Diode
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10+1.84 EUR
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4000+0.95 EUR
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RFN10RSM2STL1 RFN10RSM2STL1 ROHM datasheet?p=RFN10RSM2S&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: ROHM - RFN10RSM2STL1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 10 A, Einfach, zweifache Anode, 960 mV, 44 ns
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: TO-277A
Durchlassstoßstrom: 130A
rohsCompliant: Y-EX
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 960mV
Sperrverzögerungszeit: 44ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Anzahl der Pins: 3 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: To Be Advised
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113+2.06 EUR
146+1.48 EUR
500+1.25 EUR
1000+1.02 EUR
Mindestbestellmenge: 79 Stücke
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RFN10RSM2STL1 RFN10RSM2STL1 ROHM datasheet?p=RFN10RSM2S&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: ROHM - RFN10RSM2STL1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 10 A, Einfach, zweifache Anode, 960 mV, 44 ns
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Sperrverzögerungszeit: 44ns
rohsCompliant: Y-EX
Durchlassstoßstrom: 130A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Durchlassspannung, max.: 960mV
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
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146+1.48 EUR
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RFN10RSM2STL1 RFN10RSM2STL1 Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN10RSM2S&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key Description: DIODE STANDARD 200V 10A TO277A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-277A
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Mounting Type: Surface Mount
Package / Case: TO-277, 3-PowerDFN
Packaging: Cut Tape (CT)
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RFN10RSM2STL1 Rohm Semiconductor rfn10rsm2stl1-e.pdf Diode Switching Si 200V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-277GE
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RFN10RSM2STL1 Rohm Semiconductor rfn10rsm2stl1-e.pdf Diode Switching Si 200V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-277GE
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Description: ROHM - RFN10RSM2STL1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 10 A, Einfach, zweifache Anode, 960 mV, 44 ns
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Bauform - Diode: TO-277A
Durchlassstoßstrom: 130A
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rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach, zweifache Anode
Qualifikation: -
Durchlassspannung, max.: 960mV
Sperrverzögerungszeit: 44ns
usEccn: EAR99
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
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SVHC: To Be Advised
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RFN10RSM2STL1 - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 10 A, Einfach, zweifache Anode, 960 mV, 44 ns
tariffCode: 85411000
productTraceability: No
Sperrverzögerungszeit: 44ns
rohsCompliant: Y-EX
Durchlassstoßstrom: 130A
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 10A
euEccn: NLR
Durchlassspannung, max.: 960mV
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V
Betriebstemperatur, max.: 175°C
usEccn: EAR99
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 200V 10A TO277A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 960 mV @ 10 A
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Operating Temperature - Junction: 175°C
Supplier Device Package: TO-277A
Current - Average Rectified (Io): 10A
Technology: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
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Packaging: Cut Tape (CT)
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116+1.45 EUR
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500+1.24 EUR
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Diode Switching Si 200V 10A 3-Pin(2+Tab) TO-277GE
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