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RFN10T2DNZC9

RFN10T2DNZC9 Rohm Semiconductor

rfn10t2dnz-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Diode Switching Si 200V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FN Tube
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Technische Details RFN10T2DNZC9 Rohm Semiconductor

Description: DIODE ARRAY GP 200V 10A TO-220FN, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3 Full Pack, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 25 ns, Technology: Standard, Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode, Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A, Supplier Device Package: TO-220FN, Operating Temperature - Junction: 150°C, Part Status: Active, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 5 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V.

Weitere Produktangebote RFN10T2DNZC9 nach Preis ab 1.33 EUR bis 3.63 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit
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RFN10T2DNZC9 RFN10T2DNZC9 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=RFN10T2DNZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Rectifiers DIODE-RECTIFIER
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RFN10T2DNZC9 RFN10T2DNZC9 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN10T2DNZ&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE ARRAY GP 200V 10A TO-220FN
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3 Full Pack
Mounting Type: Through Hole
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 25 ns
Technology: Standard
Diode Configuration: 1 Pair Common Cathode
Current - Average Rectified (Io) (per Diode): 10A
Supplier Device Package: TO-220FN
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 200 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 980 mV @ 5 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 200 V
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