RFN10TF6S Rohm Semiconductor
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Technische Details RFN10TF6S Rohm Semiconductor
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM, Packaging: Bulk, Package / Case: TO-220-2, Mounting Type: Through Hole, Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io), Reverse Recovery Time (trr): 50 ns, Technology: Standard, Current - Average Rectified (Io): 10A, Supplier Device Package: TO-220NFM, Operating Temperature - Junction: 150°C (Max), Part Status: Not For New Designs, Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V, Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A, Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V.
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
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RFN10TF6S | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Rectifier Diode Switching 600V 10A 50ns 2-Pin(2+Tab) TO-220NFM Tube |
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RFN10TF6S | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 600V 10A TO220NFM Packaging: Bulk Package / Case: TO-220-2 Mounting Type: Through Hole Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 10A Supplier Device Package: TO-220NFM Operating Temperature - Junction: 150°C (Max) Part Status: Not For New Designs Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 10 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
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RFN10TF6S | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Diodes - General Purpose, Power, Switching Diode Switching 600V 10A |
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