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RFN1LAM6STR

RFN1LAM6STR Rohm Semiconductor

datasheet?p=RFN1LAM6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 600V 800MA PMDTM
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: PMDTM
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
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Technische Details RFN1LAM6STR Rohm Semiconductor

Description: ROHM - RFN1LAM6STR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 800 mA, Einfach, 1.45 V, 35 ns, 15 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: SOD-128, Durchlassstoßstrom: 15A, euEccn: NLR, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, isCanonical: Y, Durchlassspannung, max.: 1.45V, Sperrverzögerungszeit: 35ns, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA, SVHC: Lead (23-Jan-2024), Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, usEccn: EAR99, Periodische Spitzensperrspannung: 600V, Betriebstemperatur, max.: 150°C.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RFN1LAM6STR RFN1LAM6STR Rohm Semiconductor rfn1lam6s-e.pdf Diode Switching Si 600V 0.8A 2-Pin PMDTM T/R
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RFN1LAM6STR RFN1LAM6STR Rohm Semiconductor rfn1lam6s-e.pdf Diode Switching Si 600V 0.8A 2-Pin PMDTM T/R
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RFN1LAM6STR RFN1LAM6STR Rohm Semiconductor rfn1lam6s-e.pdf Diode Switching Si 600V 0.8A 2-Pin PMDTM T/R
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RFN1LAM6STR RFN1LAM6STR Rohm Semiconductor rfn1lam6s-e.pdf Diode Switching Si 600V 0.8A 2-Pin PMDTM T/R
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RFN1LAM6STR RFN1LAM6STR Rohm Semiconductor datasheet?p=RFN1LAM6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: DIODE STANDARD 600V 800MA PMDTM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: PMDTM
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
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RFN1LAM6STR RFN1LAM6STR ROHM Semiconductor datasheet?p=RFN1LAM6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Rectifiers 600V Vr 0.8A Io Fast Recovery Diode
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4+0.87 EUR
10+0.38 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
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RFN1LAM6STR RFN1LAM6STR ROHM rfn1lam6s-e.pdf Description: ROHM - RFN1LAM6STR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 800 mA, Einfach, 1.45 V, 35 ns, 15 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-128
Durchlassstoßstrom: 15A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.45V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1820 Stücke:
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243+1.04 EUR
384+0.61 EUR
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RFN1LAM6STR RFN1LAM6STR ROHM rfn1lam6s-e.pdf Description: ROHM - RFN1LAM6STR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 800 mA, Einfach, 1.45 V, 35 ns, 15 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-128
Durchlassstoßstrom: 15A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.45V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1820 Stücke:
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RFN1LAM6STR RFN1LAM6STR ROHM SEMICONDUCTOR datasheet?p=RFN1LAM6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 0.8A; 35ns; SOD128; Ufmax: 1.45V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 0.8A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD128
Max. forward voltage: 1.45V
Max. forward impulse current: 15A
Kind of package: reel; tape
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RFN1LAM6STR
Hersteller: Rohm Semiconductor
Diode Switching Si 600V 0.8A 2-Pin PMDTM T/R
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RFN1LAM6STR
Hersteller: Rohm Semiconductor
Diode Switching Si 600V 0.8A 2-Pin PMDTM T/R
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539+0.32 EUR
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Diode Switching Si 600V 0.8A 2-Pin PMDTM T/R
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AnzahlPrivatkunde
426+0.42 EUR
498+0.36 EUR
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921+0.18 EUR
3000+0.12 EUR
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RFN1LAM6STR
Hersteller: Rohm Semiconductor
Diode Switching Si 600V 0.8A 2-Pin PMDTM T/R
auf Bestellung 4306 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
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426+0.4 EUR
498+0.33 EUR
611+0.26 EUR
921+0.17 EUR
3000+0.1 EUR
Mindestbestellmenge: 251 Stücke
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RFN1LAM6STR datasheet?p=RFN1LAM6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFN1LAM6STR
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: DIODE STANDARD 600V 800MA PMDTM
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: SOD-128
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 35 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 800mA
Supplier Device Package: PMDTM
Operating Temperature - Junction: 150°C (Max)
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.45 V @ 800 mA
Current - Reverse Leakage @ Vr: 1 µA @ 600 V
auf Bestellung 11214 Stücke:
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AnzahlPrivatkunde
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40+0.52 EUR
56+0.38 EUR
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Rectifiers 600V Vr 0.8A Io Fast Recovery Diode
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AnzahlPrivatkunde
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10+0.38 EUR
100+0.33 EUR
500+0.25 EUR
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RFN1LAM6STR
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RFN1LAM6STR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 800 mA, Einfach, 1.45 V, 35 ns, 15 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-128
Durchlassstoßstrom: 15A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: Y
Durchlassspannung, max.: 1.45V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
243+1.04 EUR
384+0.61 EUR
559+0.38 EUR
736+0.29 EUR
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RFN1LAM6STR
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RFN1LAM6STR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 800 mA, Einfach, 1.45 V, 35 ns, 15 A
tariffCode: 85411000
Bauform - Diode: SOD-128
Durchlassstoßstrom: 15A
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Diodenkonfiguration: Einfach
Qualifikation: -
isCanonical: N
Durchlassspannung, max.: 1.45V
Sperrverzögerungszeit: 35ns
Durchschnittlicher Durchlassstrom: 800mA
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Anzahl der Pins: 2 Pins
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Periodische Spitzensperrspannung: 600V
Betriebstemperatur, max.: 150°C
auf Bestellung 1820 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
243+1.04 EUR
384+0.61 EUR
559+0.38 EUR
736+0.29 EUR
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RFN1LAM6STR datasheet?p=RFN1LAM6S&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RFN1LAM6STR
Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: SMD universal diodes
Description: Diode: rectifying; SMD; 600V; 0.8A; 35ns; SOD128; Ufmax: 1.45V
Type of diode: rectifying
Mounting: SMD
Max. off-state voltage: 0.6kV
Load current: 0.8A
Reverse recovery time: 35ns
Semiconductor structure: single diode
Case: SOD128
Max. forward voltage: 1.45V
Max. forward impulse current: 15A
Kind of package: reel; tape
auf Bestellung 1852 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH