RFN1VWM2STR ROHM Semiconductor
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| Anzahl | Preis |
|---|---|
| 3+ | 1.32 EUR |
| 10+ | 0.81 EUR |
| 100+ | 0.53 EUR |
| 500+ | 0.4 EUR |
| 1000+ | 0.36 EUR |
| 3000+ | 0.27 EUR |
| 9000+ | 0.26 EUR |
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Technische Details RFN1VWM2STR ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RFN1VWM2STR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 930 mV, 25 ns, 20 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: PMDE, Durchlassstoßstrom: 20A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 930mV, Sperrverzögerungszeit: 25ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V, Anzahl der Pins: 2 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RFN1VWM2STR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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RFN1VWM2STR | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RFN1VWM2STR - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 200 V, 1 A, Einfach, 930 mV, 25 ns, 20 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: PMDE Durchlassstoßstrom: 20A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 930mV Sperrverzögerungszeit: 25ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 1A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 200V Anzahl der Pins: 2 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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