RFN5BGE6STL ROHM Semiconductor
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Technische Details RFN5BGE6STL ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RFN5BGE6STL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 5 A, Einfach, 1.55 V, 50 ns, 30 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Durchlassstoßstrom: 30A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 1.55V, Sperrverzögerungszeit: 50ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RFN5BGE6STL nach Preis ab 0.99 EUR bis 2.24 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis | ||||||||||||
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RFN5BGE6STL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
 Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252GEPackaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: TO-252GE Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
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RFN5BGE6STL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RFN5BGE6STL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 5 A, Einfach, 1.55 V, 50 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.55V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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RFN5BGE6STL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RFN5BGE6STL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 5 A, Einfach, 1.55 V, 50 ns, 30 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 30A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 1.55V Sperrverzögerungszeit: 50ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 5A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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RFN5BGE6STL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 600V 5A TO252GE Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 50 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 5A Supplier Device Package: TO-252GE Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 1.55 V @ 5 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
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