Technische Details RFP30P05 INTERSIL
Description: MOSFET P-CH 50V 30A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: P-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 30A, 10V, Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote RFP30P05
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
|---|---|---|---|---|---|
| RFP30P05 | ONS/FAI |
 P-кан. MOSFET 60V, 27A, 0.07Ом, 120Вт, TO-220AB (HEXFET) Транзистори |
Produkt ist nicht verfügbar |
Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH | |
 |
RFP30P05 | onsemi |
Description: MOSFET P-CH 50V 30A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: P-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 30A, 10V Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V |
Produkt ist nicht verfügbar |
Mindestbestellmenge: 800 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
 |
RFP30P05 | onsemi / Fairchild |
MOSFETs TO-220AB P-Ch Power |
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Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RFP30P05 |
|
Hersteller: ONS/FAI
P-кан. MOSFET 60V, 27A, 0.07Ом, 120Вт, TO-220AB (HEXFET) Транзистори
P-кан. MOSFET 60V, 27A, 0.07Ом, 120Вт, TO-220AB (HEXFET) Транзистори
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| RFP30P05 |
|
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET P-CH 50V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
Description: MOSFET P-CH 50V 30A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: P-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 30A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 65mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Drain to Source Voltage (Vdss): 50 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 170 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 3200 pF @ 25 V
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| RFP30P05 |
|
Hersteller: onsemi / Fairchild
MOSFETs TO-220AB P-Ch Power
MOSFETs TO-220AB P-Ch Power
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