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RFP70N06

RFP70N06 FS

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Produktcode: 26939
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Hersteller: FS
Gehäuse: TO-220
Uds,V: 60
Idd,A: 70
Rds(on), Ohm: 0.022
Ciss, pF/Qg, nC: 2250/120
JHGF: THT
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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Preis
RFP70N06 RFP70N06 ON Semiconductor rfp70n06-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 33029 Stücke:
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500+1.38 EUR
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RFP70N06 RFP70N06 ON Semiconductor rfp70n06-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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RFP70N06 RFP70N06 ON Semiconductor rfp70n06-d.pdf Trans MOSFET N-CH Si 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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RFP70N06 RFP70N06 ONSEMI RFP70N06.pdf Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
Gate charge: 156nC
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RFP70N06 RFP70N06 onsemi RFP70N06-D.pdf Description: MOSFET N-CH 60V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 70A, 10V
Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
auf Bestellung 603 Stücke:
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50+2.28 EUR
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Mindestbestellmenge: 4 Stücke
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RFP70N06 RFP70N06 onsemi RFP70N06-D.pdf MOSFETs N-Ch Power MOSFET
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RFP70N06 RFP70N06 ONSEMI ONSM-S-A0003589498-1.pdf?hkey=6D3A4C79FDBF58556ACFDE234799DDF0 Description: ONSEMI - RFP70N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
auf Bestellung 4901 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
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RFP70N06 ON-Semiconductor RFP70N06-D.pdf N-MOSFET 70A 60V 150W 0.014Ω RFP70N06 RFP70N06 TRFP70N06
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
auf Bestellung 33029 Stücke:
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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Hersteller: ON Semiconductor
Trans MOSFET N-CH Si 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube
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RFP70N06
Hersteller: ONSEMI
Category: THT N channel transistors
Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 150W; TO220AB
Type of transistor: N-MOSFET
Polarisation: unipolar
Drain-source voltage: 60V
Drain current: 70A
Power dissipation: 150W
Case: TO220AB
Gate-source voltage: ±20V
Kind of package: tube
Kind of channel: enhancement
On-state resistance: 14mΩ
Mounting: THT
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RFP70N06
Hersteller: onsemi
Description: MOSFET N-CH 60V 70A TO220-3
Packaging: Tube
Package / Case: TO-220-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ)
Technology: MOSFET (Metal Oxide)
FET Type: N-Channel
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc)
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Power Dissipation (Max): 150W (Tc)
Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA
Supplier Device Package: TO-220-3
Part Status: Active
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V
Vgs (Max): ±20V
Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 20 V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V
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RFP70N06
Hersteller: ONSEMI
Description: ONSEMI - RFP70N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
Drain-Source-Spannung Vds: 60V
rohsCompliant: Y-EX
Dauer-Drainstrom Id: 70A
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Qualifikation: -
isCanonical: Y
MSL: -
Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V
Verlustleistung: 150W
SVHC: Lead (25-Jun-2025)
Bauform - Transistor: TO-220AB
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Kanaltyp: n-Kanal
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Rds(on)-Prüfspannung: 10V
Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm
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Hersteller: ON-Semiconductor
N-MOSFET 70A 60V 150W 0.014Ω RFP70N06 RFP70N06 TRFP70N06
Anzahl je Verpackung: 10 Stücke
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