RFP70N06 ON Semiconductor
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| 70+ | 2.24 EUR |
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Technische Details RFP70N06 ON Semiconductor
Description: MOSFET N-CH 60V 70A TO220-3, Packaging: Tube, Package / Case: TO-220-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ), Technology: MOSFET (Metal Oxide), FET Type: N-Channel, Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc), Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 70A, 10V, Power Dissipation (Max): 150W (Tc), Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA, Supplier Device Package: TO-220-3, Part Status: Active, Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V, Vgs (Max): ±20V, Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V, Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 20 V, Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V.
Weitere Produktangebote RFP70N06 nach Preis ab 1.23 EUR bis 4.06 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||
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RFP70N06 | Hersteller : ON Semiconductor |
 Trans MOSFET N-CH Si 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
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RFP70N06 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RFP70N06 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 620 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RFP70N06 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 70A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 156nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced Anzahl je Verpackung: 1 Stücke |
auf Bestellung 185 Stücke: Lieferzeit 7-14 Tag (e) |
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RFP70N06 | Hersteller : ONSEMI |
Category: THT N channel transistors Description: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 70A; 150W; TO220AB Type of transistor: N-MOSFET Polarisation: unipolar Drain-source voltage: 60V Drain current: 70A Power dissipation: 150W Case: TO220AB Gate-source voltage: ±20V On-state resistance: 14mΩ Mounting: THT Gate charge: 156nC Kind of package: tube Kind of channel: enhanced |
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RFP70N06 | Hersteller : onsemi |
Description: MOSFET N-CH 60V 70A TO220-3 Packaging: Tube Package / Case: TO-220-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -55°C ~ 175°C (TJ) Technology: MOSFET (Metal Oxide) FET Type: N-Channel Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C: 70A (Tc) Rds On (Max) @ Id, Vgs: 14mOhm @ 70A, 10V Power Dissipation (Max): 150W (Tc) Vgs(th) (Max) @ Id: 4V @ 250µA Supplier Device Package: TO-220-3 Part Status: Active Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On): 10V Vgs (Max): ±20V Drain to Source Voltage (Vdss): 60 V Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs: 156 nC @ 20 V Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds: 2250 pF @ 25 V |
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RFP70N06 | Hersteller : onsemi / Fairchild |
MOSFET N-Ch Power MOSFET |
auf Bestellung 5058 Stücke: Lieferzeit 14-28 Tag (e) |
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RFP70N06 | Hersteller : ONSEMI |
Description: ONSEMI - RFP70N06 - Leistungs-MOSFET, n-Kanal, 60 V, 70 A, 0.014 ohm, TO-220AB, Durchsteckmontage tariffCode: 85412900 Drain-Source-Spannung Vds: 60V rohsCompliant: Y-EX Dauer-Drainstrom Id: 70A hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Qualifikation: - usEccn: EAR99 Gate-Source-Schwellenspannung, max.: 4V euEccn: NLR Verlustleistung: 150W Anzahl der Pins: 3Pin(s) productTraceability: Yes-Date/Lot Code Rds(on)-Prüfspannung: 10V Betriebstemperatur, max.: 175°C Drain-Source-Durchgangswiderstand: 0.014ohm |
auf Bestellung 191 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RFP70N06 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
auf Bestellung 1637 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RFP70N06 Produktcode: 26939 |
Hersteller : FS |
Transistoren > MOSFET N-CH Gehäuse: TO-220 Uds,V: 60 Idd,A: 70 Rds(on), Ohm: 0.022 Ciss, pF/Qg, nC: 2250/120 JHGF: THT |
Produkt ist nicht verfügbar
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RFP70N06 | Hersteller : ON Semiconductor |
Trans MOSFET N-CH Si 60V 70A 3-Pin(3+Tab) TO-220 Tube |
Produkt ist nicht verfügbar |