RFV8BGE6STL Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorDescription: DIODE GEN PURP 600V 8A TO252GE
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io)
Reverse Recovery Time (trr): 45 ns
Technology: Standard
Current - Average Rectified (Io): 8A
Supplier Device Package: TO-252GE
Operating Temperature - Junction: 150°C
Part Status: Active
Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V
Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 8 A
Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V
auf Bestellung 2500 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Preis ohne MwSt |
|---|---|
| 2500+ | 1.28 EUR |
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben
Technische Details RFV8BGE6STL Rohm Semiconductor
Description: ROHM - RFV8BGE6STL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Einfach, 2.8 V, 45 ns, 100 A, tariffCode: 85411000, Bauform - Diode: TO-252 (DPAK), Durchlassstoßstrom: 100A, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Diodenkonfiguration: Einfach, Qualifikation: -, Durchlassspannung, max.: 2.8V, Sperrverzögerungszeit: 45ns, usEccn: EAR99, Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A, euEccn: NLR, Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V, Anzahl der Pins: 3 Pins, Produktpalette: -, productTraceability: Yes-Date/Lot Code, Betriebstemperatur, max.: 150°C, SVHC: Lead (17-Jan-2023).
Weitere Produktangebote RFV8BGE6STL nach Preis ab 1.11 EUR bis 2.6 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
 |
RFV8BGE6STL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
Diodes - General Purpose, Power, Switching Super Fast Recovery Diode |
auf Bestellung 2433 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
|
|
RFV8BGE6STL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: DIODE GEN PURP 600V 8A TO252GE Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 Mounting Type: Surface Mount Speed: Fast Recovery =< 500ns, > 200mA (Io) Reverse Recovery Time (trr): 45 ns Technology: Standard Current - Average Rectified (Io): 8A Supplier Device Package: TO-252GE Operating Temperature - Junction: 150°C Part Status: Active Voltage - DC Reverse (Vr) (Max): 600 V Voltage - Forward (Vf) (Max) @ If: 2.8 V @ 8 A Current - Reverse Leakage @ Vr: 10 µA @ 600 V |
auf Bestellung 2500 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
|
||||||||||||||||
 |
RFV8BGE6STL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RFV8BGE6STL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Einfach, 2.8 V, 45 ns, 100 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2.8V Sperrverzögerungszeit: 45ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2496 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
|||||||||||||||||
|
|
RFV8BGE6STL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RFV8BGE6STL - Diode mit kurzer/ultrakurzer Erholzeit, 600 V, 8 A, Einfach, 2.8 V, 45 ns, 100 A tariffCode: 85411000 Bauform - Diode: TO-252 (DPAK) Durchlassstoßstrom: 100A rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Diodenkonfiguration: Einfach Qualifikation: - Durchlassspannung, max.: 2.8V Sperrverzögerungszeit: 45ns usEccn: EAR99 Durchschnittlicher Durchlassstrom: 8A euEccn: NLR Wiederkehrende Spitzensperrspannung: 600V Anzahl der Pins: 3 Pins Produktpalette: - productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 150°C SVHC: Lead (17-Jan-2023) |
auf Bestellung 2496 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |