RGE00TS65DGC13 ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBTs 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 50A, FRD Built-in, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 14.68 EUR |
| 10+ | 8.57 EUR |
| 100+ | 7.81 EUR |
| 1200+ | 7.27 EUR |
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Technische Details RGE00TS65DGC13 ROHM Semiconductor
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 74A; 230W; Eoff: 1.02mJ, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 74A, Power dissipation: 230W, Gate-emitter voltage: ±30V, Mounting: THT, Gate charge: 104nC, Turn-on time: 57ns, Turn-off time: 150ns, Turn-off switching energy: 1.02mJ, Turn-on switching energy: 1.66mJ, Technology: Field Stop; Trench.
Weitere Produktangebote RGE00TS65DGC13 nach Preis ab 7.78 EUR bis 15.9 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RGE00TS65DGC13 | Rohm Semiconductor |
Description: 5S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V |
auf Bestellung 360 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGE00TS65DGC13 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 74A; 230W; Eoff: 1.02mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 74A Power dissipation: 230W Gate-emitter voltage: ±30V Mounting: THT Gate charge: 104nC Turn-on time: 57ns Turn-off time: 150ns Turn-off switching energy: 1.02mJ Turn-on switching energy: 1.66mJ Technology: Field Stop; Trench |
auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 17 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RGE00TS65DGC13 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 5S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
Description: 5S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
auf Bestellung 360 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 15.9 EUR |
| 30+ | 9.25 EUR |
| 120+ | 7.78 EUR |
| RGE00TS65DGC13 |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 74A; 230W; Eoff: 1.02mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 230W
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 104nC
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 150ns
Turn-off switching energy: 1.02mJ
Turn-on switching energy: 1.66mJ
Technology: Field Stop; Trench
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 74A; 230W; Eoff: 1.02mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 74A
Power dissipation: 230W
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 104nC
Turn-on time: 57ns
Turn-off time: 150ns
Turn-off switching energy: 1.02mJ
Turn-on switching energy: 1.66mJ
Technology: Field Stop; Trench
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)