RGE80TS65DGC13 ROHM Semiconductor
Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBTs 5 s Short-Circuit Tolerance, 650V 40A, FRD Built-in, TO-247GE, Field Stop Trench IGBT
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 13.34 EUR |
| 10+ | 7.71 EUR |
| 100+ | 6.89 EUR |
| 1200+ | 6.41 EUR |
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Technische Details RGE80TS65DGC13 ROHM Semiconductor
Category: THT IGBT transistors, Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 63A; 200W; Eoff: 0.78mJ, Type of transistor: IGBT, Collector-emitter voltage: 650V, Collector current: 63A, Power dissipation: 200W, Gate-emitter voltage: ±30V, Mounting: THT, Gate charge: 85nC, Turn-on time: 49ns, Turn-off switching energy: 0.78mJ, Turn-on switching energy: 1.09mJ, Technology: Field Stop; Trench.
Weitere Produktangebote RGE80TS65DGC13 nach Preis ab 6.01 EUR bis 14.43 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
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RGE80TS65DGC13 | Rohm Semiconductor |
Description: 5S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V |
auf Bestellung 595 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGE80TS65DGC13 | ROHM SEMICONDUCTOR |
Category: THT IGBT transistors Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 63A; 200W; Eoff: 0.78mJ Type of transistor: IGBT Collector-emitter voltage: 650V Collector current: 63A Power dissipation: 200W Gate-emitter voltage: ±30V Mounting: THT Gate charge: 85nC Turn-on time: 49ns Turn-off switching energy: 0.78mJ Turn-on switching energy: 1.09mJ Technology: Field Stop; Trench |
auf Bestellung 120 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
Mindestbestellmenge: 19 Stücke Im Einkaufswagen Stück im Wert von UAH |
| RGE80TS65DGC13 |
|
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: 5S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
Description: 5S SHORT-CIRCUIT TOLERANCE, 650V
auf Bestellung 595 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 2+ | 14.43 EUR |
| 30+ | 8.33 EUR |
| 120+ | 6.99 EUR |
| 510+ | 6.01 EUR |
| RGE80TS65DGC13 |
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Hersteller: ROHM SEMICONDUCTOR
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 63A; 200W; Eoff: 0.78mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 63A
Power dissipation: 200W
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Turn-on time: 49ns
Turn-off switching energy: 0.78mJ
Turn-on switching energy: 1.09mJ
Technology: Field Stop; Trench
Category: THT IGBT transistors
Description: Transistor: IGBT; Field Stop; 650V; 63A; 200W; Eoff: 0.78mJ
Type of transistor: IGBT
Collector-emitter voltage: 650V
Collector current: 63A
Power dissipation: 200W
Gate-emitter voltage: ±30V
Mounting: THT
Gate charge: 85nC
Turn-on time: 49ns
Turn-off switching energy: 0.78mJ
Turn-on switching energy: 1.09mJ
Technology: Field Stop; Trench
auf Bestellung 120 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)