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RGPR10BM40FHTL

RGPR10BM40FHTL Rohm Semiconductor

rgpr10bm40-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 460V 20A 107000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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Technische Details RGPR10BM40FHTL Rohm Semiconductor

Description: IGBT 460V 20A TO-252, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 75°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A, Supplier Device Package: TO-252, Td (on/off) @ 25°C: 500ns/4µs, Test Condition: 300V, 8A, 100Ohm, 5V, Gate Charge: 14 nC, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 20 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 460 V, Power - Max: 107 W, Qualification: AEC-Q101.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RGPR10BM40FHTL RGPR10BM40FHTL Rohm Semiconductor rgpr10bm40-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 460V 20A 107000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) DPAK T/R
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RGPR10BM40FHTL RGPR10BM40FHTL Rohm Semiconductor datasheet?p=RGPR10BM40FH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT 460V 20A TO-252
Packaging: Cut Tape (CT)
Package / Case: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 75°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A
Supplier Device Package: TO-252
Td (on/off) @ 25°C: 500ns/4µs
Test Condition: 300V, 8A, 100Ohm, 5V
Gate Charge: 14 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 20 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 460 V
Power - Max: 107 W
Qualification: AEC-Q101
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RGPR10BM40FHTL RGPR10BM40FHTL ROHM Semiconductor datasheet?p=RGPR10BM40FH&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs 430V 20A 1.6V Vce Ignition IGBT
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