RGPR30NS40HRTL Rohm Semiconductor
Hersteller: Rohm SemiconductorTrans IGBT Chip N-CH 430V 30A 125000mW Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDS T/R
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Technische Details RGPR30NS40HRTL Rohm Semiconductor
Description: IGBT 430V 30A IGNITION LPDS, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A, Supplier Device Package: LPDS, Td (on/off) @ 25°C: 500ns/4µs, Test Condition: 300V, 8A, 100Ohm, 5V, Gate Charge: 22 nC, Part Status: Not For New Designs, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V, Power - Max: 125 W, Grade: Automotive, Qualification: AEC-Q101.
Weitere Produktangebote RGPR30NS40HRTL nach Preis ab 2.07 EUR bis 4.6 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis ohne MwSt | ||||||||||||||||
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RGPR30NS40HRTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT 430V 30A IGNITION LPDS Packaging: Cut Tape (CT) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A Supplier Device Package: LPDS Td (on/off) @ 25°C: 500ns/4µs Test Condition: 300V, 8A, 100Ohm, 5V Gate Charge: 22 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V Power - Max: 125 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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RGPR30NS40HRTL | Hersteller : ROHM Semiconductor |
IGBT Transistors 400V 30A 1.6V Vce Ignition IGBT |
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RGPR30NS40HRTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RGPR30NS40HRTL - IGBT, 30 A, 1.6 V, 125 W, 430 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 430V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A |
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RGPR30NS40HRTL | Hersteller : ROHM |
Description: ROHM - RGPR30NS40HRTL - IGBT, 30 A, 1.6 V, 125 W, 430 V, TO-263 (D2PAK), 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Oberflächenmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.6V MSL: MSL 1 - unbegrenzt usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 125W Bauform - Transistor: TO-263 (D2PAK) Anzahl der Pins: 3Pins Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 430V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A |
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RGPR30NS40HRTL | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT 430V 30A IGNITION LPDS Packaging: Tape & Reel (TR) Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB Mounting Type: Surface Mount Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.0V @ 5V, 10A Supplier Device Package: LPDS Td (on/off) @ 25°C: 500ns/4µs Test Condition: 300V, 8A, 100Ohm, 5V Gate Charge: 22 nC Part Status: Not For New Designs Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 430 V Power - Max: 125 W Grade: Automotive Qualification: AEC-Q101 |
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