Produkte > ROHM SEMICONDUCTOR > RGS30TSX2DGC11
RGS30TSX2DGC11

RGS30TSX2DGC11 Rohm Semiconductor

rgs30tsx2d-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 267W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
22+8.19 EUR
25+7.74 EUR
Mindestbestellmenge: 22 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
Artikel auf Bestellung
Nicht an unserem Lager — wir beziehen ihn nach Ihrer Bestellung vom Lieferantenlager.
Lieferzeit: 14-21 Tag (e)
Mindestmenge: 22 Stücke
Produktrezensionen
Produktbewertung abgeben

Technische Details RGS30TSX2DGC11 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FLD 1200V 30A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 157 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/70ns, Switching Energy: 740µJ (on), 600µJ (off), Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 41 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Power - Max: 267 W.

Weitere Produktangebote RGS30TSX2DGC11 nach Preis ab 7.98 EUR bis 19.79 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RGS30TSX2DGC11 RGS30TSX2DGC11 Rohm Semiconductor rgs30tsx2d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 267W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
17+10.91 EUR
20+9.13 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGS30TSX2DGC11 RGS30TSX2DGC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGS30TSX2D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 15A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
1+16.59 EUR
10+11.33 EUR
100+7.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGS30TSX2DGC11 RGS30TSX2DGC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGS30TSX2D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FLD 1200V 30A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 157 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/70ns
Switching Energy: 740µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 41 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 267 W
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
2+16.92 EUR
10+11.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGS30TSX2DGC11 RGS30TSX2DGC11 ROHM rgs30tsx2d-e.pdf Description: ROHM - RGS30TSX2DGC11 - IGBT, 30 A, 1.7 V, 267 W, 1.2 kV, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
Verlustleistung: 267W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
13+19.79 EUR
16+15.46 EUR
19+11.57 EUR
50+11.22 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGS30TSX2DGC11 rgs30tsx2d-e.pdf
RGS30TSX2DGC11
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 267W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
auf Bestellung 30 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
17+10.91 EUR
20+9.13 EUR
Mindestbestellmenge: 17 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGS30TSX2DGC11 datasheet?p=RGS30TSX2D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGS30TSX2DGC11
Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 15A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 484 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
1+16.59 EUR
10+11.33 EUR
100+7.98 EUR
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGS30TSX2DGC11 datasheet?p=RGS30TSX2D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key
RGS30TSX2DGC11
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FLD 1200V 30A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 157 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/70ns
Switching Energy: 740µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 41 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 267 W
auf Bestellung 215 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
2+16.92 EUR
10+11.54 EUR
Mindestbestellmenge: 2 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH
RGS30TSX2DGC11 rgs30tsx2d-e.pdf
RGS30TSX2DGC11
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGS30TSX2DGC11 - IGBT, 30 A, 1.7 V, 267 W, 1.2 kV, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
Verlustleistung: 267W
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: No
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 70 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
AnzahlPrivatkunde
13+19.79 EUR
16+15.46 EUR
19+11.57 EUR
50+11.22 EUR
Mindestbestellmenge: 13 Stücke
Im Einkaufswagen  Stück im Wert von  UAH