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RGS30TSX2GC11

RGS30TSX2GC11 Rohm Semiconductor


rgs30tsx2-e.pdf Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 30A 267W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
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Technische Details RGS30TSX2GC11 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FLD 1200V 30A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/70ns, Switching Energy: 740µJ (on), 600µJ (off), Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 41 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Power - Max: 267 W.

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RGS30TSX2GC11 RGS30TSX2GC11 Hersteller : Rohm Semiconductor datasheet?p=RGS30TSX2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FLD 1200V 30A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/70ns
Switching Energy: 740µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 41 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 267 W
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RGS30TSX2GC11 RGS30TSX2GC11 Hersteller : ROHM Semiconductor datasheet?p=RGS30TSX2&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBT Transistors 10us Short-Circuit Tolerance, 1200V 15A, Field Stop Trench IGBT
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RGS30TSX2GC11 RGS30TSX2GC11 Hersteller : ROHM rgs30tsx2-e.pdf Description: ROHM - RGS30TSX2GC11 - IGBT, 30 A, 1.7 V, 267 W, 1.2 kV, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 267W
Bauform - Transistor: TO-247N
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
Kontinuierlicher Kollektorstrom: 30A
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