RGS30TSX2GC11 Rohm Semiconductor
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 25+ | 7.24 EUR |
| 26+ | 6.83 EUR |
| 50+ | 6.43 EUR |
| 100+ | 6.07 EUR |
| 250+ | 5.8 EUR |
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Technische Details RGS30TSX2GC11 Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FLD 1200V 30A TO247N, Packaging: Tube, Package / Case: TO-247-3, Mounting Type: Through Hole, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A, Supplier Device Package: TO-247N, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 30ns/70ns, Switching Energy: 740µJ (on), 600µJ (off), Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 41 nC, Current - Collector (Ic) (Max): 30 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A, Power - Max: 267 W.
Weitere Produktangebote RGS30TSX2GC11 nach Preis ab 6.58 EUR bis 14.33 EUR
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde | ||||||
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RGS30TSX2GC11 | Rohm Semiconductor |
 Description: IGBT TRENCH FLD 1200V 30A TO247NPackaging: Tube Package / Case: TO-247-3 Mounting Type: Through Hole Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ) Input Type: Standard Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A Supplier Device Package: TO-247N IGBT Type: Trench Field Stop Td (on/off) @ 25°C: 30ns/70ns Switching Energy: 740µJ (on), 600µJ (off) Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V Gate Charge: 41 nC Current - Collector (Ic) (Max): 30 A Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A Power - Max: 267 W |
auf Bestellung 440 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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RGS30TSX2GC11 | ROHM |
Description: ROHM - RGS30TSX2GC11 - IGBT, 30 A, 1.7 V, 267 W, 1.2 kV, TO-247N, 3 Pin(s) tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 267W Bauform - Transistor: TO-247N Dauerkollektorstrom: 30A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: - Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV productTraceability: Yes-Date/Lot Code Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 286 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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RGS30TSX2GC11 | ROHM Semiconductor |
IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 15A, Field Stop Trench IGBT |
auf Bestellung 886 Stücke: Lieferzeit 10-14 Tag (e) |
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| RGS30TSX2GC11 |
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FLD 1200V 30A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/70ns
Switching Energy: 740µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 41 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 267 W
Description: IGBT TRENCH FLD 1200V 30A TO247N
Packaging: Tube
Package / Case: TO-247-3
Mounting Type: Through Hole
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 15A
Supplier Device Package: TO-247N
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 30ns/70ns
Switching Energy: 740µJ (on), 600µJ (off)
Test Condition: 600V, 15A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 41 nC
Current - Collector (Ic) (Max): 30 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 45 A
Power - Max: 267 W
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| Anzahl | Privatkunde |
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| 3+ | 10.22 EUR |
| 10+ | 6.93 EUR |
| RGS30TSX2GC11 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGS30TSX2GC11 - IGBT, 30 A, 1.7 V, 267 W, 1.2 kV, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
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Verlustleistung: 267W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
Description: ROHM - RGS30TSX2GC11 - IGBT, 30 A, 1.7 V, 267 W, 1.2 kV, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 267W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 30A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
auf Bestellung 286 Stücke:
Lieferzeit 14-21 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 21+ | 12.17 EUR |
| 31+ | 7.7 EUR |
| 100+ | 7.07 EUR |
| RGS30TSX2GC11 |
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Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 15A, Field Stop Trench IGBT
IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 15A, Field Stop Trench IGBT
auf Bestellung 886 Stücke:
Lieferzeit 10-14 Tag (e)
| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 14.33 EUR |
| 10+ | 9.72 EUR |
| 100+ | 6.58 EUR |