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RGS40NL65DHRBTL

RGS40NL65DHRBTL Rohm Semiconductor

datasheet?p=RGS40NL65DHRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key
Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 42A TO-263L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Reverse Recovery Time (trr): 93 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 24ns/87ns
Switching Energy: 560µJ (on), 490µJ (off)
Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 28 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 42 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A
Power - Max: 177 W
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details RGS40NL65DHRBTL Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 42A TO-263L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Reverse Recovery Time (trr): 93 ns, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 20A, Supplier Device Package: TO-263L, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 24ns/87ns, Switching Energy: 560µJ (on), 490µJ (off), Test Condition: 400V, 20A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 28 nC, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 42 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 60 A, Power - Max: 177 W, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote RGS40NL65DHRBTL nach Preis ab 3.31 EUR bis 10.12 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RGS40NL65DHRBTL RGS40NL65DHRBTL ROHM rgs40nl65dhrbtl-e.pdf Description: ROHM - RGS40NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 42 A, 1.65 V, 177 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Verlustleistung: 177W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 42A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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500+4.07 EUR
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RGS40NL65DHRBTL RGS40NL65DHRBTL Rohm Semiconductor rgs40nl65dhrbtl-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 177W 3-Pin(2+Tab) LPDL Automotive AEC-Q101
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100+4.96 EUR
250+4.75 EUR
500+4.55 EUR
1000+4.33 EUR
Mindestbestellmenge: 31 Stücke
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RGS40NL65DHRBTL RGS40NL65DHRBTL Rohm Semiconductor rgs40nl65dhrbtl-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 177W 3-Pin(2+Tab) LPDL Automotive AEC-Q101
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Mindestbestellmenge: 22 Stücke
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RGS40NL65DHRBTL RGS40NL65DHRBTL Rohm Semiconductor rgs40nl65dhrbtl-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 42A 177W 3-Pin(2+Tab) LPDL Automotive AEC-Q101
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RGS40NL65DHRBTL RGS40NL65DHRBTL ROHM Semiconductor datasheet?p=RGS40NL65DHRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key IGBTs 8us Short-Circuit Tolerance, 650V 20A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT: RGS40NL65DHRB is a 8 s SCSOA guaranteed IGBT, suitable for general inverter for automotive and industrial use. This product complies AEC-Q101 qualification.
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RGS40NL65DHRBTL RGS40NL65DHRBTL ROHM rgs40nl65dhrbtl-e.pdf Description: ROHM - RGS40NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 42 A, 1.65 V, 177 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
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Transistormontage: Oberflächenmontage
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Verlustleistung: 177W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 42A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
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38+6.26 EUR
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Description: RGS40NL65DHRBTL
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGS40NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 42 A, 1.65 V, 177 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
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Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBTs 8us Short-Circuit Tolerance, 650V 20A, FRD Built-in, Automotive Field Stop Trench IGBT: RGS40NL65DHRB is a 8 s SCSOA guaranteed IGBT, suitable for general inverter for automotive and industrial use. This product complies AEC-Q101 qualification.
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Description: ROHM - RGS40NL65DHRBTL - IGBT, AEC-Q101, 42 A, 1.65 V, 177 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Verlustleistung: 177W
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Bauform - Transistor: TO-263L
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
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