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RGS50NL65HRBTL

RGS50NL65HRBTL Rohm Semiconductor

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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO-263L
Packaging: Tape & Reel (TR)
Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Mounting Type: Surface Mount
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Input Type: Standard
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Supplier Device Package: TO-263L
IGBT Type: Trench Field Stop
Td (on/off) @ 25°C: 28ns/91ns
Switching Energy: 810µJ (on), 650µJ (off)
Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V
Gate Charge: 31 nC
Grade: Automotive
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Power - Max: 206 W
Qualification: AEC-Q101
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Technische Details RGS50NL65HRBTL Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 650V 50A TO-263L, Packaging: Tape & Reel (TR), Package / Case: TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB, Mounting Type: Surface Mount, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Input Type: Standard, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Supplier Device Package: TO-263L, IGBT Type: Trench Field Stop, Td (on/off) @ 25°C: 28ns/91ns, Switching Energy: 810µJ (on), 650µJ (off), Test Condition: 400V, 25A, 10Ohm, 15V, Gate Charge: 31 nC, Grade: Automotive, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 650 V, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Power - Max: 206 W, Qualification: AEC-Q101.

Weitere Produktangebote RGS50NL65HRBTL nach Preis ab 3.7 EUR bis 10.75 EUR

Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RGS50NL65HRBTL RGS50NL65HRBTL ROHM rgs50nl65hrbtl-e.pdf Description: ROHM - RGS50NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 50 A, 1.65 V, 206 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Oberflächenmontage
euEccn: NLR
rohsCompliant: YES
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rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: N
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Verlustleistung: 206W
SVHC: To Be Advised
Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
usEccn: EAR99
Betriebstemperatur, max.: 175°C
auf Bestellung 990 Stücke:
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100+4.52 EUR
500+3.77 EUR
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RGS50NL65HRBTL RGS50NL65HRBTL ROHM Semiconductor datasheet?p=RGS50NL65HRB&dist=Digi-Key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-Key IGBTs 8us Short-Circuit Tolerance, 650V 25A, Automotive Field Stop Trench IGBT: RGS50NL65HRB is a 8 s SCSOA guaranteed IGBT, suitable for general inverter for automotive and industrial use. This product complies AEC-Q101 qualification.
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10+6.59 EUR
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RGS50NL65HRBTL RGS50NL65HRBTL ROHM rgs50nl65hrbtl-e.pdf Description: ROHM - RGS50NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 50 A, 1.65 V, 206 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Verlustleistung: 206W
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Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
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RGS50NL65HRBTL Rohm Semiconductor rgs50nl65hrbtl-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 650V 50A 206W Automotive 3-Pin(2+Tab) LPDL T/R
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RGS50NL65HRBTL
Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGS50NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 50 A, 1.65 V, 206 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
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Dauerkollektorstrom: 50A
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Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
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IGBTs 8us Short-Circuit Tolerance, 650V 25A, Automotive Field Stop Trench IGBT: RGS50NL65HRB is a 8 s SCSOA guaranteed IGBT, suitable for general inverter for automotive and industrial use. This product complies AEC-Q101 qualification.
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Description: ROHM - RGS50NL65HRBTL - IGBT, AEC-Q101, 50 A, 1.65 V, 206 W, 650 V, TO-263L, 3 Pin(s)
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V
Verlustleistung: 206W
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Bauform - Transistor: TO-263L
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Field Stop Trench Series
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
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