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RGS50TSX2DGC11

RGS50TSX2DGC11 Rohm Semiconductor

rgs50tsx2d-e.pdf
Hersteller: Rohm Semiconductor
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
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Technische Details RGS50TSX2DGC11 Rohm Semiconductor

Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247N, Power - Max: 395 W, Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A, Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V, Current - Collector (Ic) (Max): 50 A, Part Status: Active, Gate Charge: 67 nC, Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V, Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.65mJ (off), Td (on/off) @ 25°C: 37ns/140ns, IGBT Type: Trench Field Stop, Supplier Device Package: TO-247N, Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A, Reverse Recovery Time (trr): 182 ns, Input Type: Standard, Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ), Mounting Type: Through Hole, Package / Case: TO-247-3, Packaging: Tube.

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Foto Bezeichnung Hersteller Beschreibung Verfügbarkeit Privatkunde
RGS50TSX2DGC11 RGS50TSX2DGC11 Rohm Semiconductor rgs50tsx2d-e.pdf Trans IGBT Chip N-CH 1200V 50A 395W 3-Pin(3+Tab) TO-247N Tube
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RGS50TSX2DGC11 RGS50TSX2DGC11 ROHM Semiconductor datasheet?p=RGS50TSX2D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 25A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT
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RGS50TSX2DGC11 RGS50TSX2DGC11 Rohm Semiconductor datasheet?p=RGS50TSX2D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247N
Power - Max: 395 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Active
Gate Charge: 67 nC
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.65mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/140ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Reverse Recovery Time (trr): 182 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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30+10.54 EUR
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RGS50TSX2DGC11 RGS50TSX2DGC11 ROHM datasheet?p=RGS50TSX2D&dist=Digi-key&media=referral&source=digi-key.com&campaign=Digi-key Description: ROHM - RGS50TSX2DGC11 - IGBT, 50 A, 1.7 V, 395 W, 1.2 kV, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
hazardous: false
rohsPhthalatesCompliant: YES
isCanonical: Y
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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13+19.92 EUR
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Hersteller: ROHM Semiconductor
IGBTs 10 s Short-Circuit Tolerance, 1200V 25A, FRD Built-in, Field Stop Trench IGBT
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Hersteller: Rohm Semiconductor
Description: IGBT TRENCH FS 1200V 50A TO247N
Power - Max: 395 W
Current - Collector Pulsed (Icm): 75 A
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max): 1200 V
Current - Collector (Ic) (Max): 50 A
Part Status: Active
Gate Charge: 67 nC
Test Condition: 600V, 25A, 10Ohm, 15V
Switching Energy: 1.4mJ (on), 1.65mJ (off)
Td (on/off) @ 25°C: 37ns/140ns
IGBT Type: Trench Field Stop
Supplier Device Package: TO-247N
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic: 2.1V @ 15V, 25A
Reverse Recovery Time (trr): 182 ns
Input Type: Standard
Operating Temperature: -40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type: Through Hole
Package / Case: TO-247-3
Packaging: Tube
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Description: ROHM - RGS50TSX2DGC11 - IGBT, 50 A, 1.7 V, 395 W, 1.2 kV, TO-247N, 3 Pin(s)
tariffCode: 85412900
Transistormontage: Durchsteckmontage
rohsCompliant: YES
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Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.7V
MSL: -
usEccn: EAR99
euEccn: NLR
Verlustleistung: 395W
Bauform - Transistor: TO-247N
Dauerkollektorstrom: 50A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: -
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 1.2kV
productTraceability: Yes-Date/Lot Code
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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