| Anzahl | Privatkunde |
|---|---|
| 1+ | 22.87 EUR |
| 10+ | 16.06 EUR |
| 100+ | 13.07 EUR |
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Technische Details RGT00TS65DGC13 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RGT00TS65DGC13 - IGBT, 85 A, 1.65 V, 277 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, isCanonical: Y, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 277W, Bauform - Transistor: TO-247GE, Dauerkollektorstrom: 85A, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
Weitere Produktangebote RGT00TS65DGC13
| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung | Verfügbarkeit | Privatkunde |
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RGT00TS65DGC13 | ROHM |
 Description: ROHM - RGT00TS65DGC13 - IGBT, 85 A, 1.65 V, 277 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES isCanonical: Y Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 277W Bauform - Transistor: TO-247GE Dauerkollektorstrom: 85A Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
auf Bestellung 7 Stücke: Lieferzeit 14-21 Tag (e) |
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| RGT00TS65DGC13 |
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Hersteller: ROHM
Description: ROHM - RGT00TS65DGC13 - IGBT, 85 A, 1.65 V, 277 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)
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Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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Bauform - Transistor: TO-247GE
Dauerkollektorstrom: 85A
Anzahl der Pins: 3Pin(s)
Produktpalette: Trench
Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V
productTraceability: No
Betriebstemperatur, max.: 175°C
SVHC: Lead (23-Jan-2024)
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