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Technische Details RGT00TS65DGC13 ROHM Semiconductor
Description: ROHM - RGT00TS65DGC13 - IGBT, 85 A, 1.65 V, 277 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s), tariffCode: 85412900, Transistormontage: Durchsteckmontage, rohsCompliant: YES, hazardous: false, rohsPhthalatesCompliant: YES, Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V, MSL: -, usEccn: EAR99, euEccn: NLR, Verlustleistung: 277W, Bauform - Transistor: TO-247GE, Anzahl der Pins: 3Pin(s), Produktpalette: Trench, Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V, productTraceability: No, Betriebstemperatur, max.: 175°C, Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A, SVHC: Lead (23-Jan-2024).
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| Foto | Bezeichnung | Hersteller | Beschreibung |
Verfügbarkeit |
Preis |
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RGT00TS65DGC13 | Hersteller : ROHM |
 Description: ROHM - RGT00TS65DGC13 - IGBT, 85 A, 1.65 V, 277 W, 650 V, TO-247GE, 3 Pin(s)tariffCode: 85412900 Transistormontage: Durchsteckmontage rohsCompliant: YES hazardous: false rohsPhthalatesCompliant: YES Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung: 1.65V MSL: - usEccn: EAR99 euEccn: NLR Verlustleistung: 277W Bauform - Transistor: TO-247GE Anzahl der Pins: 3Pin(s) Produktpalette: Trench Kollektor-Emitter-Spannung, max.: 650V productTraceability: No Betriebstemperatur, max.: 175°C Kontinuierlicher Kollektorstrom: 85A SVHC: Lead (23-Jan-2024) |
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RGT00TS65DGC13 | Hersteller : Rohm Semiconductor |
Description: IGBT TRNCH FIELD 650V 85A TO247G |
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